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溝槽式mosfet
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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展
- 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車(chē)規級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車(chē)規級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實(shí)現雙向充電功能，并顯著(zhù)降低了車(chē)載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。 相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開(kāi)關(guān)損耗降低了25%，具有同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)性能。這種開(kāi)關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現了高頻運行，縮小了系統尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
- 關(guān)鍵字： TO263-7 1200V 溝槽式MOSFET 電動(dòng)出行
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溝槽式mosfet介紹
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