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氮化鎵襯底
氮化鎵襯底 文章 進(jìn)入氮化鎵襯底技術(shù)社區
未來(lái)5年 氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流
- 在當今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下，中國LED企業(yè)如何打破格局，完成技術(shù)攻堅，促進(jìn)LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類(lèi)別包括藍寶石、碳化硅、硅以及被稱(chēng)為第三代半導體材料的氮化鎵。 與傳統襯底材料相比，氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩定性等優(yōu)越特性，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。時(shí)至今日，氮化鎵襯底相對于藍寶石、碳化硅等襯底的性能優(yōu)勢顯而易見(jiàn)，最大難題在于價(jià)格過(guò)高。 厚膜的襯底產(chǎn)品方面：產(chǎn)品有10～50微米
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氮化鎵襯底介紹
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