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模擬技術(shù)
模擬技術(shù) 文章 進(jìn)入模擬技術(shù)技術(shù)社區
安森美推出最新能效標準的電源參考設計
- 安森美半導體率先推出業(yè)內第一款能夠符合將在今年7月實(shí)施美國能源之星(ENERGY STAR®)對臺式電腦ATX電源性能要求最新標準的ATX電源公開(kāi)參考設計，新的參考設計可以在所有指定負載情況下超越能源之星要求的電源能效，為電源產(chǎn)品制造商提供利用現有高性?xún)r(jià)比技術(shù)將高能效電源面市的參考藍本。 安森美半導體的參考設計在高電壓輸入時(shí)可以達到86.5%的滿(mǎn)載高能效，在20%負載和低電壓輸入時(shí)則達82.5%能效，和目前市場(chǎng)上常見(jiàn)平均70%能效的電源比較，該設計可以降低電源損耗達50%。此
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ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運算放大器和比較器
- ROHM株式會(huì )社針對力求省電的筆記本電腦、數碼相機、游戲機等便攜數碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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雙變換UPS的系統結構
- 眾所周知，UPS 的功能是確保負載供電的不間斷，并改善供電電源質(zhì)量，使市電電源的各種干擾與負載徹底隔離，保證在任何情況下均能供給負載穩定可靠的交流電源?！ PS已有近40年的應用歷史，最初的UPS 產(chǎn)品主要用于大型計算機系統的供電，隨著(zhù)數字技術(shù)的發(fā)展，其應用范圍逐漸擴大，在電信、金融、能源、交通、醫藥、教育、商業(yè)、工業(yè)、軍事等各個(gè)領(lǐng)域都得到了廣泛的應用?，F在UPS已成為重要負載必不可少的配套電源系統。目前要求由UPS 供電的負載設備容量范圍很寬，對電源的要求也不盡相同，因此，不可能由采用同一種電路技術(shù)和
- 關(guān)鍵字： UPS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙變換
基于Stratix II EP2S60的改進(jìn)中值濾波器設計
- 1 引言 眾所周知，在復雜背景條件下，要對弱小目標進(jìn)行準確有效地紅外跟蹤、探測是一個(gè)難題。這種情況下，由于目標與背景的對比度較小、信噪比較低，若直接進(jìn)行跟蹤、探測往往比較困難，所以必須先對圖像信號進(jìn)行濾波預處理，以達到抑制背景噪聲。增加目標強度，從而提高圖像信噪比的目的，為后續工作打下良好的基礎。 實(shí)時(shí)圖像處理器中，信號預處理包括對圖像的各種濾波、直方圖統計及均衡、圖像增強、灰度變換等，它們共同的特點(diǎn)是處理數據量大，如果用一般的軟件來(lái)實(shí)現勢必會(huì )比較慢。而對于一些實(shí)時(shí)性要求比較高的系統，處理速度往往是
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凌力爾特推出LT3012 和 LT3013 高溫型新版本
- 凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出 LT3012 和 LT3013 的高溫型新版本，這是兩款具有高達 80V 輸入電壓能力的微功率 LDO。這些 H 級器件采用 TSSOP 封裝，在溫度高達 +140oC 時(shí)仍保持正常工作，并具有僅為 360mV 的低壓差，同時(shí)提供高達 200mA 的輸出電流。3.3V 至 80V 的寬 VIN 范圍和 1.24V 至高達 60V 的可調輸出使這兩種器件非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應用。另外，這兩種器件具有
- 關(guān)鍵字： LT3012 LT3013 電源技術(shù) 凌力爾特 模擬技術(shù)
HOLTEK推出低電壓?jiǎn)温暤览纫粼捶糯笃?/a>
- HT82V739是HOLTEK半導體新推出低電壓?jiǎn)温暤览纫粼捶糯笃?，具有低功耗高輸出功率及低失真特性，提供高質(zhì)量的音頻頻率響應。優(yōu)良的電氣特性，凡消費性語(yǔ)音產(chǎn)品具Line out均能使用，包括語(yǔ)言學(xué)習機、電子發(fā)音辭典、語(yǔ)音玩具等。 同時(shí)HT82V739內建靜音功能，可防止開(kāi)關(guān)切換時(shí)"pop"音產(chǎn)生。此外HT82V739是直推型喇叭音源放大器，故可讓客戶(hù)外部組件降至最少，且能滿(mǎn)足客戶(hù)多方面的需求，是值得信賴(lài)的產(chǎn)品。在封裝方面提供8-pin SOP與8-pin DIP封裝，非常
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飛兆半導體推出無(wú)須外接電阻的數字晶體管
- 飛兆半導體推出無(wú)須外接電阻的高集成度數字晶體管，這兩種全新的200mW數字晶體管系列FJY30xx (NPN) 和 FJY40xx (PNP)專(zhuān)為開(kāi)關(guān)、逆變器、接口及驅動(dòng)電路而量身定做，在極小的封裝中集成了一個(gè)外接電阻偏置網(wǎng)絡(luò )，因此無(wú)須外接電阻。這種高集成度減少了元件數目，有助于設計人員節省板空間、降低設計成本、簡(jiǎn)化電路設計并使到系統性能最大化。此外，線(xiàn)路板空間因采用了表面貼裝技術(shù) (SMT) 進(jìn)一步得以?xún)?yōu)化。這些晶體管備有超小超薄 (
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ROHM推出高可靠LED組件ExceLED系列產(chǎn)品
- 最近，半導體生產(chǎn)廠(chǎng)家ROHM株式會(huì )社使用4種元素（AlGaInP）新開(kāi)發(fā)出高亮度、高可靠性的“ExceLEDTM”系列產(chǎn)品，并提供6種封裝類(lèi)型。 本產(chǎn)品已從2007年3月開(kāi)始供應樣品（樣品價(jià)格30日元/個(gè)），并計劃從4月開(kāi)始按照每種型號1000萬(wàn)個(gè)/月的生產(chǎn)規模、由ROHM WACO（岡山縣）、ROHM 半導體（中國）、ROHM-WAKO-ELECTRONICS（馬來(lái)西亞）SDN.BHD進(jìn)行批量生產(chǎn)。 在車(chē)載、工業(yè)機器領(lǐng)域，質(zhì)量要求通常比其它領(lǐng)域更高，一直以來(lái)ROHM都能夠支持。此次R
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漫談電子、電氣設備中的電磁兼容性問(wèn)題
- 1． 引 言 20世紀90年代以后，一種新的污染（電磁垃圾污染）已被提到環(huán)保日程上來(lái)了。電磁垃圾污染不像其它污染那樣:看得見(jiàn)、摸得著(zhù)、聞得出。它分布在空中,潛伏于地下,能造成飛機、輪船、車(chē)輛和電氣、電子產(chǎn)品運行失常、失靈，甚至被損壞；還會(huì )損害人類(lèi)身體健康，導致人體多種疾病的出現。它是無(wú)形的殺人兇手，是“電磁世界”里的“海、陸、空恐怖分子”。 并且不受時(shí)間、空間和國界的約束，隨時(shí)都可能向人類(lèi)發(fā)起進(jìn)攻。由電磁垃圾污染造成的經(jīng)濟損失及危害與其它污染相比，有過(guò)之而無(wú)不及。例如，20世紀70年代，美國研制的“防
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安森美半導體推出新雙緣多相控制器
- 全球領(lǐng)先的高能效電源管理解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擴充電源計算產(chǎn)品系列，推出兩款新雙緣多相控制器。NCP5387和NCP5382多相降壓控制器滿(mǎn)足服務(wù)器和VR10.x、VR11.0與Parallel VID規格臺式個(gè)人電腦的電源需求，這兩款器件與公司去年推出的NCP5391和NCP5385雙緣控制解決方案配套，為VR10.x/VR11臺式電腦應用帶來(lái)更高能效且更精密的主處理器電源(Vcore)解決方案。 安森美半導體計
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開(kāi)關(guān)電源的可靠性設計
- 1 引言 開(kāi)關(guān)電源是各種系統的核心部分。開(kāi)關(guān)電源的需求越來(lái)越大，同時(shí)對可靠性提出了越來(lái)越高的要求。涉及系統可靠性的因素很多。目前，人們認識上的主要誤區是把可靠性完全（或基本上）歸結于元器件的可靠性和制造裝配的工藝,忽略了系統設計和環(huán)境溫度對可靠性的決定性的作用。據美國海軍電子實(shí)驗室的統計，整機出現故障的原因和各自所占的百分比如表1所示。 在民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域，日本的統計資料表明，可靠性問(wèn)題80％源于設計方面（日本把元器件的選型、質(zhì)量級別的確定、元器件的負荷率等部分也歸入設計上的原因）。以上兩
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可飽和電感在開(kāi)關(guān)電源中的應用
- 1 引言 可飽和電感是一種磁滯回線(xiàn)矩形比高、起始磁導率高、矯頑力小、具有明顯磁飽和點(diǎn)的電感，在電子電路中常被當作可控延時(shí)開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用。由于具有獨特的物理特性，可飽和電感在高頻開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)噪聲抑制技術(shù)及大電流輸出輔路穩壓技術(shù)等方面也得到了日益廣泛的應用。 2 可飽和電感的基本物理特性 圖1(a)和圖1(b)分別是普通鐵氧體電感和可飽和電感的磁滯回線(xiàn)。從兩者的對比中可以明顯看出可飽和電感具有高磁滯回線(xiàn)矩形比（Br/
- 關(guān)鍵字： 電感 電源技術(shù) 開(kāi)關(guān)電源 模擬技術(shù) 噪聲抑制 元件 制造
模擬技術(shù)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條模擬技術(shù)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對模擬技術(shù)的理解，并與今后在此搜索模擬技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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