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柵級驅動(dòng)電路
柵級驅動(dòng)電路 文章 進(jìn)入柵級驅動(dòng)電路技術(shù)社區
如何優(yōu)化SiC柵級驅動(dòng)電路？
- 對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著(zhù)優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場(chǎng)效應器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān)，同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來(lái)本系列文章的第二部分SiC柵極驅動(dòng)電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動(dòng)器的基本功能。分立式 SiC 柵極驅動(dòng)為了補償低增益并實(shí)現高效、高
- 關(guān)鍵字： 安森美 柵級驅動(dòng)電路
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柵級驅動(dòng)電路介紹
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