智新半導體 文章 進(jìn)入智新半導體技術(shù)社區

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)

• 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
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