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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 整流器

Vishay推出6款FRED Pt超快恢復整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出6款用于消費電子應用的FRED Pt™超快恢復整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降,在硬開(kāi)關(guān)條件下的快速恢復時(shí)間只有16ns,在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。   新整流器適用于70W~400W的開(kāi)關(guān)電源,為筆記本電腦和打印機適配器、桌面電腦、電視機和顯示器、游戲控制器,以及DVD和藍光播放器中的AC-DC電源提供了高能效的功率因數校正(PF
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基于TMS320F2812的三相整流器設計研究

  • 基于TMS320F2812的三相整流器設計研究,摘要:詳細論述了SVPWM(空間矢量調制)的基本原理,給出了一種基于DSP實(shí)現的三相PWM整流器控制系統的設計方案,并且應用了TMS320F-2812,給出了一臺原理樣機的設計方法,同時(shí)進(jìn)行了實(shí)驗驗證。
    關(guān)鍵詞:PWM整流器;
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Vishay推出6款新型整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝,具有10A~30A的電流額定范圍。   今天發(fā)布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay推出TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。   今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210,以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。   由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
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Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布,推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A,最大峰值反向額定電壓為600V~1000V,外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器,產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm,厚度為3.8mm。   與市場(chǎng)上其他更大尺寸的橋式整流器相比,PowerBridge器件先進(jìn)的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此,PowerBrid
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開(kāi)關(guān)電源和可控硅整流器在活塞環(huán)電鍍中的應用

  • 0 引言  
    活塞環(huán)的表面電鍍一直是使用較多的一種工藝,廠(chǎng)生產(chǎn)的高頻開(kāi)關(guān)電源和分級式可控硅整流器在全國各行業(yè)電鍍中有廣泛的應用,針對一些技術(shù)問(wèn)題談幾點(diǎn)注意事項。
    1 關(guān)于功率因素問(wèn)題
      可控硅整流器
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Qspeed推出超高效率600V H系列整流器

  •   益登科技代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件,協(xié)助電源廠(chǎng)商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰,同時(shí)也提供Qspeed擴展其二極管性能領(lǐng)先優(yōu)勢的機會(huì )。以前一代產(chǎn)品作為基礎,Qspeed新款600V功率因數校正器(PFC,Power Factor Corrector)不僅擁有更低的反向恢復電荷(QRR),且具有目前市面上硅二極管最高的轉換效率。   Qspeed PFC二極管能協(xié)助設計人員滿(mǎn)足各種嚴格的性能規范,不僅能提升系統性能、降低電磁干擾(EMI),而且無(wú)需使用其他器件或縮小其他組件。此
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電流模式控制倍流整流器ZVS PWM全橋DC-DC變換器的研究

  • 本文研究一種新型的高頻DC-DC開(kāi)關(guān)功率變換器 。它采用電流模式移相PWM 控制,在較大的負載范圍內實(shí)現了開(kāi)關(guān)器件的零電壓軟開(kāi)關(guān)(ZVS)。論文最后給出了實(shí)驗結果和兩個(gè)主要波形,并做出了詳細的說(shuō)明。
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功率因數閉環(huán)控制的PWM整流器設計

  • 1. 引言 近幾年來(lái),隨著(zhù)電力電子裝置的應用日益廣泛,電網(wǎng)中諧波電流和無(wú)功功率對電力系統的污染也日益嚴重。消除諧波污染并提高功率因數,已經(jīng)成為電力電子技術(shù)中的一個(gè)重大課題。作為解決這一問(wèn)題的途徑之一,能
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基于MATLAB的高功率因數整流器仿真實(shí)驗平臺研究

  • 以三相PWM整流電路為例,利用MATLAB的Simulink建立了仿真實(shí)驗平臺,將具有一定功能的模塊群進(jìn)行封裝,用戶(hù)不必了解其內部結構,只需了解其功能,輸入相應參數,把各個(gè)功能模塊按照原理連接即可觀(guān)察結果,每個(gè)模塊都可以進(jìn)行移植,通過(guò)仿真驗證,對工程中的三相可逆PWM整流器設計有實(shí)際意義。
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Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件

  •   Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專(zhuān)有PowerDI5封裝,具有卓越的超低熱阻,使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積,實(shí)現雙倍的功率密度。   Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示,SBR10U200P5是業(yè)界體積最小的引線(xiàn)式10A整流器,額定電壓高達200V,能夠在10A額定電流和125℃的結溫下提供業(yè)內領(lǐng)先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該
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單周期控制三相PWM整流器在不對稱(chēng)電網(wǎng)下的研究

  • 摘要:傳統的矢量模式單周期控制三相PWM整流器是基于對稱(chēng)電網(wǎng)系統下研究的,功率因數約為1,輸入諧波低,且與雙極型單周期控制相比,具有更低的開(kāi)關(guān)損耗。當三相電網(wǎng)不對稱(chēng)時(shí),三相輸入電流跟蹤電網(wǎng)電壓的非零序分量
  • 關(guān)鍵字: 不對  網(wǎng)下  研究  整流器  PWM  控制  三相  周期  

三相電壓型PWM整流器

  • 摘要:以電壓空間矢量控制的基本原理和概念為基礎,結合Matlab/Simulink軟件包構建了三相PWM整流器空間矢量控制系統的仿真模型,并詳細給出各模型的具體參數。仿真結果顯示,該方法簡(jiǎn)單,控制精度高,用于三相PWM整流
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業(yè)界第一個(gè)商用TMBS整流器與傳統整流器電子應用的對比(08-100)

  •   肖特基整流器通常是高頻電子應用更為理想的選擇,由于它們具有高開(kāi)關(guān)速度和低正向(導通狀態(tài))壓降,其低正向導通能量損耗非常關(guān)鍵。但是直到最近,大多數應用的硅基肖特基勢壘整流器都受到了低于100 V的工作電壓的限制。
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IR推出全新基準MOSFET,將封裝電流額定值提升了60%

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動(dòng)工具。 新器件的封裝電流額定值達到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平,使它成為市場(chǎng)上
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整流器介紹

一 什么是整流器?   整流器是一個(gè)整流裝置,簡(jiǎn)單的說(shuō)就是將交流(AC)轉化為直流(DC)的裝置。它有兩個(gè)主要功能:第一,將交流電(AC)變成直流電(DC),經(jīng)濾波后供給負載,或者供給逆變器;第二,給蓄電池提供充電電壓。因此,它同時(shí)又起到一個(gè)充電器的作用。 二 整流器三極管參數   三極管的hFE參數與貯存時(shí)間ts相關(guān),一般hFE大的三極管ts也較大,過(guò)去人們對ts的認識以及ts的測量?jì)x器均 [ 查看詳細 ]

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