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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 振蕩器

自制金屬探測器

數字控制文氏橋振蕩器分析

  • 在所有低頻振蕩電路中,文氏橋是最簡(jiǎn)單的一種,其工作狀況幾乎不受外部環(huán)境變化的影響,很少發(fā)生背離設計初衷的情況。
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壓電振蕩器供給白光LED發(fā)光

  •   壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。   接收單電池供電的LED驅動(dòng)器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓,主要需要某種電子振蕩器,最簡(jiǎn)單的為壓電蜂鳴器。壓電轉換器特殊地用于振蕩器和驅動(dòng)白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片,帶雙面電極,用可傳導粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類(lèi)似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉換器。在這個(gè)轉換器中,模片在其中一個(gè)電極上有反應標記。電感和容性器件之間諧振產(chǎn)生振蕩。工作的頻率為:fOSC=1/(2π      ),在
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數控振蕩器的FPGA設計

Ku波段低相噪頻率源的研制

  •   1 引 言   隨著(zhù)電子技術(shù)的飛速發(fā)展,目前的電子產(chǎn)品特別是軍用產(chǎn)品的工作頻段大量地由射頻轉向微波,Ku、K波段的振蕩器、頻率合成器、低噪聲放大器等已經(jīng)十分常見(jiàn)。作為各種電子系統核心部件的頻率合成器(簡(jiǎn)稱(chēng)頻綜),雖然有著(zhù)70多年的發(fā)展歷史,其理論基礎可謂相當完善,但仍然受到實(shí)際應用的嚴峻考驗。目前的頻率合成器正朝著(zhù)模塊化、小型化、低功耗、高頻譜純度和多點(diǎn)快速捷變的方向發(fā)展。   本文研究的頻率合成器是工作在11.8 GHz上的一個(gè)點(diǎn)頻源,其各項技術(shù)指標要求如下:   輸入頻率:10 MHz;輸入
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傳輸型耦合介質(zhì)振蕩器的計算機輔助設計

  •   1 引 言   隨著(zhù)微波半導體技術(shù)和微波集成電路的發(fā)展,微波設備和系統也趨向于小型化、輕量化、固態(tài)化和集成化。微波系統中的微波源也對其諧振器的小型化、高Q值提出了迫切的要求。微波介質(zhì)諧振器振蕩器(DRO)由于使用高Q值(5 000~10 000)的微波介質(zhì)諧振器作為穩頻元件,故具有頻率穩定度高、體積小、重量輕、價(jià)格低、結構簡(jiǎn)單等突出優(yōu)點(diǎn),已廣泛應用于現代衛星通信和其他微波系統中,成為新一代的微波固態(tài)源。   根據DR對振蕩電路的不同耦合方式和所起的作用,DRO通??刹捎脙煞N類(lèi)型的電路來(lái)實(shí)現:  
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MEMS振蕩器101(圖)

SiTime新推超薄、高效能可編程MEMS振蕩器

  •   以微機電系統(MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)硅振蕩器產(chǎn)品的SiTime公司,自去年推出第一代產(chǎn)品后,已于日前達到每周出貨10萬(wàn)顆的里程碑??春靡源诵屡d技術(shù)取代傳統的石英振蕩器的趨勢,SiTime又推出兩款新產(chǎn)品,企圖以更佳的效能,擴大其應用范圍。   首先,SiTime發(fā)表了目前業(yè)界最輕薄的振蕩器,這款型號為SiT8002UT的產(chǎn)品厚度僅有0.37mm,適用于行動(dòng)裝置、多芯片模塊以及自動(dòng)化應用等市場(chǎng)。   SiTime公司資深產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理JasonSharma表示,SiT8002UT的大小僅有3.0x3.5x
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意法半導體發(fā)布集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器

  • 意法半導體推出了該公司新開(kāi)發(fā)的在當今市場(chǎng)上頻率覆蓋率最高的集成壓控振蕩器(VCO)的射頻合成器。ST的STW81103是第一個(gè)輸出頻率高達5GHz的單片射頻合成器,滿(mǎn)足了微波無(wú)線(xiàn)電應用領(lǐng)域的設備制造商對注重空間和成本效益的解決方案的需求。這些元器件的目標應用包括無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )基礎設施、CATV系統、儀表和測試設備。 頻率合成器是大多數射頻前端設計的基礎,其性能高低對整個(gè)系統的運行有很大的影響。相位噪聲最小化和寬帶頻率范圍最大化是今天的通信設備對信號源組件的主要需求。 以滿(mǎn)足這些需求為目的, ST的STW8
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Maxim推出DS4026數控溫度補償晶體振蕩器

Daishinku溫度晶體振蕩器可工作在+1.8V

  • Daishinku公司公布了工作在+1.8V的低電壓SMD型溫度補償晶體振蕩器(TCXO)。這種新的TCXO(DSB321SE)將有助于進(jìn)一步減小GPS接收端模塊的設計。目前,公司已經(jīng)提供DSB321SE的樣片。  KDSDaishinku生產(chǎn)用于GPS市場(chǎng)的SMD型溫度補償晶體振蕩器(TCXO)已經(jīng)多年,目前的DSB321SD可以工作在不高于+2.4V的電壓,然而新的DSB321SE能夠工作在+1.8V。最新+1.8V產(chǎn)品相對于溫度的頻率穩定性是:當溫度在(-20攝氏度,+60攝氏度
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一種新型數字溫度測量電路的設計及實(shí)現

  • 摘 要:提出一種內嵌時(shí)鐘功能的溫度測量電路的設計方案。測溫電路利用溫度傳感器監測外界溫度的變化,通過(guò)振蕩器將溫度傳感器的阻值變化轉換為頻率信號的變化,實(shí)現模擬信號到數字信號的轉換,然后利用數字信號處理方法計算得出溫度值,實(shí)現溫度的測量。 關(guān)鍵詞:溫度傳感器 振蕩器 FPGA 用傳統的水銀或酒精溫度計來(lái)測量溫度,不僅測量時(shí)間長(cháng)、讀數不方便、而且功能單一,已經(jīng)不能滿(mǎn)足人們在數字化時(shí)代的要求。本文提出了一種新型的數字式溫度測量電路的設計方案,該方案集成了溫度測量電路和實(shí)時(shí)日歷時(shí)鐘電路。 
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從嵌入CMOS MEMS振蕩器展望IC設計的潛在變革

  • 摘要: 隨著(zhù)CMOS MEMS振蕩器大規模制造技術(shù)的成熟,應用將涉及汽車(chē)、電視、攝像機、個(gè)人電腦、便攜式設備等等幾乎一切電子設備,本文向中國工程師概要介紹CMOS MEMS諧振器主流技術(shù)及行業(yè)動(dòng)態(tài)、在IC中嵌入CMOS MEMS振蕩器的設計流程以及相關(guān)支持工具的發(fā)展趨勢。關(guān)鍵詞: MEMS,振蕩器,CMOS MEMS,IC設計,EDA MEMS技術(shù)將會(huì )給幾乎所有種類(lèi)的電子產(chǎn)品帶來(lái)一場(chǎng)革命,特別是隨著(zhù)CMOS MEMS振蕩器大規模制造技術(shù)的成熟,消費電子產(chǎn)品制造商、硬盤(pán)制造商以及其它產(chǎn)
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利用MCU的內部振蕩器為電源增加智能控制

  • 傳統上,開(kāi)關(guān)電源(SMPS)是用一個(gè)基本的模擬控制環(huán)路來(lái)實(shí)現的,但數字信號控制器(DSC)技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數字控制機制的設計變得非常實(shí)用和經(jīng)濟,但是,預計全數字控制技術(shù)將最初應用在高端產(chǎn)品中,因為在高端產(chǎn)品中,該技術(shù)得好處非常明顯和直接。然而,許多模擬電源應用也能從即使最小、最便宜的微控制器(MCU)所提供的可配置能力和智能中獲得很多好處,實(shí)際上,在電源中最少可能有4個(gè)獨立的數字控制階段,它們是開(kāi)/關(guān)控制,比例控制配置、控制數字反饋或全數字控制,其中開(kāi)關(guān)控制階段具有一些令人矚目的優(yōu)勢。通過(guò)使傳統開(kāi)
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峰值電流模式升壓DC-DC變換器中斜坡補償的分析與設計

  • 摘   要:本文通過(guò)分析固定頻率、峰值電流模式升壓DC-DC變換器中斜坡補償的基本原理,提出了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的斜坡補償電路。該電路利用恒定電流充放電型振蕩器產(chǎn)生的斜坡電壓信號,通過(guò)一個(gè)V-I電路轉換成可作為斜率補償用的斜坡電流信號。關(guān)鍵詞:峰值電流模式;振蕩器;斜坡補償 引言開(kāi)關(guān)電源按控制模式可以分為電壓模式和電流模式兩大類(lèi)。相比電壓模式而言,電流模式因動(dòng)態(tài)響應快、補償電路簡(jiǎn)單、增益帶寬大、易于并行輸出等優(yōu)點(diǎn)而獲得廣泛應用。但是,在峰值電流模式中存在如下問(wèn)題:占空比大于50%時(shí)系統的開(kāi)
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振蕩器介紹

振蕩器(英文:oscillator)是一種能量轉換裝置——將直流電能轉換為具有一定頻率的交流電能。其構成的電路叫振蕩電路.   低頻振蕩器(low-frequency oscillator,或稱(chēng)LFO)是指產(chǎn)生頻率在0.1赫茲到10赫茲之間交流訊號的振蕩器。這個(gè)詞通常用在音訊合成中,用來(lái)區別其他的音訊振蕩器。   振蕩器主要可以分成兩種:諧波振蕩器(harmonic oscillat [ 查看詳細 ]

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