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抗短路穩健性
抗短路穩健性 文章 進(jìn)入抗短路穩健性技術(shù)社區
Transphorm氮化鎵器件率先達到對電機驅動(dòng)應用至關(guān)重要的抗短路穩健性里程碑
- 新世代電力系統的未來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項專(zhuān)利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現了長(cháng)達5微秒的短路耐受時(shí)間（SCWT）。這是同類(lèi)產(chǎn)品有記錄以來(lái)首次達到的成就，也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿(mǎn)足伺服電機、工業(yè)電機和汽車(chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統等傳統上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類(lèi)應用領(lǐng)域未來(lái)五年的
- 關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵器件 電機驅動(dòng) 抗短路穩健性
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抗短路穩健性介紹
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