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憶阻器單元
憶阻器單元 文章 進(jìn)入憶阻器單元技術(shù)社區
[未來(lái)可測]系列之二:憶阻器單元基礎研究和性能研究測試方案
- _____憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱(chēng)為阻變存儲器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注的重要應用領(lǐng)域包括：非易失存儲（Nonvolatile memory），邏輯運算（Logic computing），以及類(lèi)腦神經(jīng)形態(tài)計算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線(xiàn)，為發(fā)展信息
- 關(guān)鍵字： 憶阻器單元 基礎研究 測試
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憶阻器單元介紹
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