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微電子器件
微電子器件 文章 進(jìn)入微電子器件技術(shù)社區
全球首個(gè)無(wú)半導體的微電子器件問(wèn)世 導電性能增加10倍
- 近日，加利福尼亞大學(xué)圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發(fā)出世界上首個(gè)無(wú)半導體的光控微電子器件，該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發(fā)下，導電性能相比傳統增加10倍。該技術(shù)有利于制造更快、更高功率的微電子器件，并有望制造更高效的太陽(yáng)能電池板。 該研究發(fā)表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。 無(wú)半導體電子器件。圖片來(lái)源：UCSan Diego Applied
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復旦研制新型微電子器件半浮柵晶體管 有望提速CPU
- 復旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(cháng)、國家02重大專(zhuān)項總體組專(zhuān)家張衛教授領(lǐng)銜的科研團隊研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT)，可讓數據擦寫(xiě)更容易、速度更快，操作電壓更低，為設計低功耗芯片奠定了基礎。相關(guān)研究成果刊登于8月8日出版的《科學(xué)》雜志上。這是我國科學(xué)家在該雜志上發(fā)表的第一篇微電子器件方面的論文。 據介紹，張衛教授團隊長(cháng)期從事集成電路工藝和半導體器件的研究。這一成果被業(yè)內學(xué)者稱(chēng)為將可能改變近年來(lái)IT業(yè)界所擔憂(yōu)的問(wèn)題:技術(shù)的發(fā)展將使摩爾定律達到極限無(wú)法再突破。這也
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微電子器件介紹
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