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異質(zhì)結
異質(zhì)結 文章 進(jìn)入異質(zhì)結技術(shù)社區
高驅動(dòng)電流的隧穿器件設計
- 陳玉翔（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054） 摘?要：隧道場(chǎng)效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場(chǎng)效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結縱向隧穿場(chǎng)效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
- 關(guān)鍵字： 202006 隧穿場(chǎng)效應晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結 開(kāi)態(tài)電流
高驅動(dòng)電流的隧穿器件設計
- 隧道場(chǎng)效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場(chǎng)效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結縱向隧穿場(chǎng)效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
- 關(guān)鍵字： 隧穿場(chǎng)效應晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結 開(kāi)態(tài)電流
突破：二維半導體異質(zhì)結研究獲新進(jìn)展
- 最近，中科院半導體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹(shù)深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質(zhì)結的基礎研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在2013年9月30日美國化學(xué)學(xué)會(huì )主辦的《納米快報》(NanoLetters)上。 半導體異質(zhì)結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質(zhì)結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質(zhì)結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。在傳統半導體
- 關(guān)鍵字： 半導體 異質(zhì)結
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異質(zhì)結介紹
異質(zhì)結【heterojunction】 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域。按照兩種材料的導電類(lèi)型不同，異質(zhì)結可分為同型異質(zhì)結（P-p結或N-n結）和異型異質(zhì)(P-n或p-N)結，多層異質(zhì)結稱(chēng)為異質(zhì)結構。通常形成異質(zhì)結的條件是：兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數。利用界面合金、外延生長(cháng)、真空淀積等技術(shù)，都可以制造異質(zhì)結。異質(zhì)結常具有兩種半導體各自的PN結都不能達到的優(yōu)良 [ 查看詳細 ]
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