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開(kāi)態(tài)電流
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高驅動(dòng)電流的隧穿器件設計
- 陳玉翔（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054） 摘?要：隧道場(chǎng)效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場(chǎng)效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結縱向隧穿場(chǎng)效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
- 關(guān)鍵字： 202006 隧穿場(chǎng)效應晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結 開(kāi)態(tài)電流
高驅動(dòng)電流的隧穿器件設計
- 隧道場(chǎng)效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場(chǎng)效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結縱向隧穿場(chǎng)效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
- 關(guān)鍵字： 隧穿場(chǎng)效應晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結 開(kāi)態(tài)電流
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