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常閉耗盡型
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Transphorm最新技術(shù)白皮書(shū):常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比
- 氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書(shū)。該技術(shù)文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實(shí)現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點(diǎn)白皮書(shū)介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
- 關(guān)鍵字： Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
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常閉耗盡型介紹
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