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帶隙基準源
帶隙基準源 文章 進(jìn)入帶隙基準源技術(shù)社區
高電源抑制的帶隙基準源設計方案

- 本文通過(guò)結合LDO與Brokaw基準核心,設計出了高PSR的帶隙基準,此帶隙基準輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達到7.5 ppm,適用于電子鎮流器芯片。本設計還優(yōu)化了啟動(dòng)部分,使新的帶隙基準可以在短時(shí)間內順利啟動(dòng)。 1 電路結構 1.1 基準核心 目前的基準核心可以有多種實(shí)現方案:混合電阻,Buck voltage transfer cell,但是修調復雜,不宜工業(yè)化。本設計采用Brokaw基準核心,其較易實(shí)現高壓基準輸出,并
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帶隙基準源介紹
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