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導體異質(zhì)結
導體異質(zhì)結 文章 進(jìn)入導體異質(zhì)結技術(shù)社區
導體所等在二維半導體異質(zhì)結研究中取得新進(jìn)展
- 近日，中科院半導體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹(shù)深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質(zhì)結的基礎研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學(xué)學(xué)會(huì )主辦的《納米快報》(Nano Letters)上。 半導體異質(zhì)結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質(zhì)結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質(zhì)結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。在傳統半導體領(lǐng)域，以
- 關(guān)鍵字： 二維半導體 導體異質(zhì)結
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導體異質(zhì)結介紹
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