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寬禁帶半導
寬禁帶半導 文章 進(jìn)入寬禁帶半導技術(shù)社區
發(fā)展第三代半導體 基礎研究成難題
- “寬禁帶半導體就像一個(gè)小孩，還沒(méi)長(cháng)好就被拉到市場(chǎng)上去應用?！痹?1月8日至9日召開(kāi)的香山科學(xué)會(huì )議上，中科院院士、中科院半導體所研究員夏建白打的比方引起不少與會(huì )專(zhuān)家的共鳴?！ ∠慕ò姿f(shuō)的寬禁帶半導體又被稱(chēng)為第三代半導體，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等材料是其主要代表?！ ∪绻f(shuō)以硅為代表的第一代半導體是集成電路的基石，第二代半導體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話(huà)，那么第三代半導體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節能減排及國防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內容?！ ‖F在的
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寬禁帶半導介紹
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