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宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率晶體管
- 宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式晶體管，進(jìn)一步擴展其獲獎的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品系列。 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋器件。透過(guò)集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應晶體管而成為單個(gè)器件可以除去印刷電路板上器件之間的相連電感及空隙，使晶體管的占板面積減少50%。這會(huì )提高效率(尤其是器件在更高頻工作時(shí))及增加功率密度并同時(shí)減低終端用戶(hù)的功率轉換系統的組裝成本。半橋式器件是面向
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC2102 EPC2103
宜普電源轉換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉換公司宣布推出60 V增強型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過(guò)集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應晶體管而成為單個(gè)器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結果是增加效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶(hù)的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101最理想的應用領(lǐng)域是高頻直流-直流轉換。 在EPC2101半橋式元件內，每一個(gè)器件的額定電壓是60 V。 上面的場(chǎng)效應晶體管的導通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 功率晶體管 EPC2101
宜普電源轉換公司（EPC）推出專(zhuān)為電信、工業(yè)及醫療應用的降壓轉換器演示板
- 宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓并轉至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它采用EPC2001 及EPC2015增強型氮化鎵(eGaN?)場(chǎng)效應晶體管(FET)及LTC3891降壓控制器。這個(gè)降壓轉換器設計是電信、工業(yè)及醫療應用所需的配電解決方案的理想設計。 EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場(chǎng)效應晶體管、驅動(dòng)器、
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC9118 場(chǎng)效應晶體管
推動(dòng)高效電源轉換的氮化鎵技術(shù)專(zhuān)家撰寫(xiě)以應用為主題的教科書(shū)（第二版）
- 宜普電源轉換公司宣布推出「氮化鎵晶體管 - 高效功率轉換器件」教科書(shū)(第二版)，由電源轉換業(yè)界專(zhuān)家撰寫(xiě)及約翰威立國際出版公司(John Wiley & Sons Inc.)發(fā)行。 該教科書(shū)專(zhuān)為攻讀功率系統設計工程課程的學(xué)生及在職工程師而撰寫(xiě)，內容涵蓋基本技術(shù)及以應用為主題的部分，旨在闡釋如何利用基于氮化鎵技術(shù)的晶體管設計更高效電源轉換系統。 氮化鎵(GaN)技術(shù)是一種新興技術(shù)，旨在締造新一代功率晶體管以替代舊有硅MOSFET器件。當硅器件已接近其性能極限時(shí)，氮化鎵器件具備卓越傳導及
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 氮化鎵晶體管 功率轉換器件
宜普電源轉換公司推出符合A4WP規格的高效無(wú)線(xiàn)電源傳送演示套件
- 由于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN® FET)具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振并符合Rezence無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(A4WP)規格的無(wú)線(xiàn)電源傳送系統的理想器件，可提高系統的效率。 宜普電源轉換公司宣布推出無(wú)線(xiàn)電源轉換演示套件。該套件備有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三個(gè)組件： 發(fā)射板(或放大器) 符合A4WP等級3規格的發(fā)射線(xiàn)圈 符合A4WP類(lèi)別3規格、包含線(xiàn)圈的接收板 該系統可傳送達35
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 場(chǎng)效應晶體管 Rezence
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