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外延生長(cháng)
外延生長(cháng) 文章 進(jìn)入外延生長(cháng)技術(shù)社區
信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助
- 第三代半導體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導體材料大廠(chǎng)信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(cháng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開(kāi)始供應樣品。圖片來(lái)源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現有的Si生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(cháng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實(shí)現大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(cháng)，并抑制SEMI標準厚度的QS
- 關(guān)鍵字： 信越化學(xué) 氮化鎵 外延生長(cháng)
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外延生長(cháng)介紹
外延生長(cháng) 外延生長(cháng)【epitaxial growth】【】 在單晶襯底（基片）上生長(cháng)一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長(cháng)技術(shù)發(fā)展于20世紀50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長(cháng)外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進(jìn)石英反應器中，也可采用紅外輻 [ 查看詳細 ]
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