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LED外延片成長(cháng)工藝的解決方案

  • 今天來(lái)探討LED外延片的成長(cháng)工藝,早期在小積體電路時(shí)代,每一個(gè)6?的外延片上制作數以千計的芯片,現在次微米線(xiàn)寬的大型VLSI,每一個(gè)8?的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)?投資數百億,但卻是所
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LED外延片基礎知識

  • 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(cháng)偏短或偏長(cháng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激
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LED的外延片生長(cháng)技術(shù)介紹

  • 外延片技術(shù)與設備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在,金屬有機物化學(xué)氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporDepos...
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LED外延片(外延)的成長(cháng)工藝

  • 今天來(lái)探討LED外延片的成長(cháng)工藝,早期在小積體電路時(shí)代,每一個(gè)6吋的外延片上制作數以千計的芯片,現在次微米線(xiàn)寬...
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LED外延片生長(cháng)基本原理

  • LED外延片生長(cháng)基本原理LED外延片生長(cháng)的基本原理是,在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有紅寶石和SiC兩種)上...
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LED用外延片知識介紹

  • 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試,符合要求的就是良品...
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MOCVD生長(cháng)GaN基藍光LED外延片的研究

  • 一引言Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料,其帶隙寬度從1.9eV至6.2eV,覆蓋了可見(jiàn)光及紫外光光譜的...
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中韓多晶硅價(jià)格走軟 新產(chǎn)能釋放在即

  •   根據Energy Trend的調查,多晶硅現貨價(jià)格走勢出現明顯的修正。本週多晶硅價(jià)格出現下滑,但相關(guān)廠(chǎng)商的報價(jià)仍力守在$50/kg的關(guān)卡,主要成交價(jià)仍落在$51/kg~$53/kg之間,平均成交價(jià)來(lái)到$52.55/kg,繼上週價(jià)格下跌后,本週跌幅持續擴大至2.92%。
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LED外延片襯底材料小常識

  • 襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,需要不同的外延生長(cháng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝...
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LED外延片的生長(cháng)工藝介紹

  • 早期在小積體電路時(shí)代,每一個(gè)6吋的外延片上制作數以千計的芯片,現在次微米線(xiàn)寬的大型VLSI,每一個(gè)8吋的外...
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LED外延片技術(shù)發(fā)展趨勢及LED外延片工藝

  • 從led工作原理可知,外延片材料是LED的核心部分,事實(shí)上,LED的波長(cháng)、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決于...
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晶電隆達2011年計劃擴產(chǎn)4寸外延片產(chǎn)能

  •   為提高生產(chǎn)效率,晶電,隆達均計劃于2011年擴展4寸外延片產(chǎn)能。據悉,晶電在2010年增購MOCVD機臺時(shí),就已經(jīng)導入部份4寸機臺。預計,晶電2011年30%的產(chǎn)能將可望產(chǎn)生自4寸機臺。
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江蘇省半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟大會(huì )在揚召開(kāi)

  •   江蘇省半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟大會(huì )在揚州“智谷”召開(kāi),來(lái)自全省各個(gè)城市的61家企業(yè)和科研院所結成戰略聯(lián)盟,共同致力于LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)的創(chuàng )新研發(fā)和轉化應用。   揚州是國家科技部認定的“國家半導體照明產(chǎn)業(yè)化基地”,也是國家首批“十城萬(wàn)盞”試點(diǎn)城市。通過(guò)培育產(chǎn)業(yè)鏈,集聚了中科半導體、川奇光電、尚揚電子、東貝光電、峻茂光電、隆耀光電、璨揚光電等30多家從事LED生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的核心企業(yè),形成了“襯底材料—外延片&
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只有技術(shù)進(jìn)步才能帶動(dòng)市場(chǎng)升級

  •   實(shí)際照明燈具的輸出光通量通常在上千流明至數萬(wàn)流明,而目前單顆高端功率 型白光LED 的光通量?jì)H在100流明左右,因此半導體照明燈具通常由數十至上百個(gè)集群白光LED組成。以目前的LED 性能而論,低壓、恒流驅動(dòng)的集群LED的使用造成半導體照明燈具必須解決巨大熱量的耗散和由交流市電向低壓恒流轉換而引起的電源管理問(wèn)題。另外,傳統封裝的功率型LED的小光通、高亮度的發(fā)光特性會(huì )造成非常嚴重的眩光。所以,半導體照明技術(shù)不僅限于芯片的制作和封裝技術(shù),而是一個(gè)包含了光學(xué)設計、熱量和電源管理等在內的系統級技術(shù)。   
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國內LED市場(chǎng)擴張力度不減 產(chǎn)值一路揚帆

  •   自2003年「國家半導體照明 工程」領(lǐng)導小組成立,國家半導體照明工程就此啟動(dòng)。2009年大陸續提出「十城萬(wàn)盞 」計劃,推動(dòng)LED路燈示范照明;而于2009年出爐的《電子信息產(chǎn)業(yè)調整和振興規劃》中,也將半導體照明產(chǎn)業(yè)列為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   地方政府對LED產(chǎn)業(yè)的扶持亦不遺余力,目前,大陸LED產(chǎn)業(yè)已形成珠三角、長(cháng)三角、北方地區、江西及福建地區4大半導體照明產(chǎn)業(yè)聚落,近年來(lái)科技部亦先后批準設立廈門(mén)、上海、大連、南昌、深圳、揚州等7個(gè)國家半導體照明工程產(chǎn)業(yè)化基地,此外,大陸華東及內陸地區新建LED項目亦不
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外延片介紹

  外延片是指用外延工藝在襯底表面生長(cháng)薄膜所生片的單晶硅片。一般外延層厚度為2-20微米,作為襯底的單晶硅片厚度為610微米左右。   外延工藝:外延生長(cháng)技術(shù)發(fā)展于20世紀50年代末60年代初,為了制造高頻大功率器件,需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長(cháng)外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上,然后放進(jìn)石英反應器中, [ 查看詳細 ]

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