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可靠性測試
可靠性測試 文章 進(jìn)入可靠性測試技術(shù)社區
晶圓級可靠性測試:器件開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵步驟（二）
- 可靠性測試儀器的發(fā)展趨勢 就像前文所指出的那樣，可靠性測試需要與新器件的設計和新材料的使用密切關(guān)聯(lián) ...
- 關(guān)鍵字： 晶圓級 可靠性測試 器件開(kāi)發(fā)
WLR測試中所面臨的新挑戰
- 就像摩爾定律驅動(dòng)半導體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導體可靠性問(wèn)題的活動(dòng)也遵循一個(gè)似乎有點(diǎn)可以預測的周期。例如，技術(shù)演進(jìn)到VLSI時(shí)，為了保持導線(xiàn)的電路速度，引入了鋁線(xiàn)連接。此時(shí)，很快就發(fā)現了電子遷移這類(lèi)的可靠性問(wèn)題。一旦發(fā)現了問(wèn)題所在，就會(huì )通過(guò)實(shí)驗來(lái)對退化機制進(jìn)行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標達到最佳。隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)一步成熟，焦點(diǎn)轉移到缺陷的降低上面。而隨著(zhù)ULSI的引入，由于使用了應力硅、銅和低K介電材料等，又開(kāi)始一輪新周期。 隨著(zhù)引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
- 關(guān)鍵字： 半導體 VLS 可靠性測試 晶體管
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可靠性測試介紹
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