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半橋LLC空載電壓尖峰的電路設計改善方案
- 半橋LLC空載電壓尖峰問(wèn)題可通過(guò)改善電路設計解決。采用小漏源電容和良好恢復特性的功率管，減少導通死區時(shí)間，可消除直通電流，降低電壓尖峰。死區時(shí)間變化可能影響ZVS狀態(tài)和DC/DC輸出二極管電壓應力。摘要由作者通過(guò)智能技術(shù)生成有用半橋LLC空載電壓尖峰的電路設計改善方案半橋電路在空載時(shí)，由于上管的占空比很?。赡転?），電路下面的諧振電容電壓會(huì )很低，這就容易導致了下管在導通時(shí)，流過(guò)諧振電感的電流不能反向。今天分享在網(wǎng)上看到的干貨。在半橋電路中，當下管關(guān)斷后下管的體二極管進(jìn)行續流時(shí)，上管被開(kāi)通了，導致了“瞬時(shí)
- 關(guān)鍵字： 半橋LLC 空載電壓尖峰 電路設計
線(xiàn)性L(fǎng)ED驅動(dòng)器半橋LLC電路
- 線(xiàn)性L(fǎng)ED驅動(dòng)器半橋LLC電路
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