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半橋驅動(dòng)芯片
半橋驅動(dòng)芯片 文章 進(jìn)入半橋驅動(dòng)芯片技術(shù)社區
納芯微新品，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì )產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動(dòng)器會(huì )在單獨的芯片上帶有驅動(dòng)器的分立晶體管，受到驅動(dòng)器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開(kāi)關(guān)節點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開(kāi)關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會(huì )導致信號傳輸的波動(dòng)。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅動(dòng)NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；集成化的
- 關(guān)鍵字： GaN 納芯微 半橋驅動(dòng)芯片
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半橋驅動(dòng)芯片介紹
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