半導體薄膜生長(cháng) 文章 進(jìn)入半導體薄膜生長(cháng)技術(shù)社區

原位拉曼系統--實(shí)時(shí)監測半導體薄膜生長(cháng)全過(guò)程

• 在半導體工藝中，薄膜沉積是在半導體原材料硅晶圓上分階段生長(cháng)薄膜的核心工藝。它在半導體電路之間起到區分、連接和保護作用。由于其厚度非常薄，在晶圓上形成均勻地薄膜具有很高的難度。所以在化學(xué)沉積過(guò)程中，確認薄膜材料是否正常生長(cháng)，以及能否產(chǎn)生所需的特定物性，就非常重要。為了確保薄膜沉積按照預期進(jìn)行，通常將已長(cháng)成的薄膜從真空化學(xué)氣相沉積（CVD）腔室中取出，然后用分析儀器進(jìn)行檢查。它被稱(chēng)為“Ex-Situ”方法，是從外部而不是在腔室內部進(jìn)行分析。但是，從真空室中取出的薄膜可能會(huì )與大氣中的氧氣或水分接觸，從而改變物性
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