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半導體核芯
半導體核芯 文章 進(jìn)入半導體核芯技術(shù)社區
第三代半導體核芯氮化鎵，何時(shí)紅透半邊天？
- 半導體研究隨著(zhù)以空間技術(shù)、計算機為導向的第三次科技革命（1950年）拉開(kāi)帷幕。半導體產(chǎn)業(yè)作為知識技術(shù)高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè)，由上游（半導體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產(chǎn)品）組成。第一代半導體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類(lèi)電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應用效果不理想，砷化鎵源材料有
- 關(guān)鍵字： 半導體核芯 氮化鎵
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半導體核芯介紹
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