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實(shí)時(shí)功率GaN波形監視
- 實(shí)時(shí)功率GaN波形監視-功率氮化鎵器件是電源設計人員工具箱內令人激動(dòng)的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。
- 關(guān)鍵字： 功率GaN
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功率gan介紹
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