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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率放大器

超甲類(lèi)功率放大器電路原理圖

  • 電路如圖4-1所示。元器件的選擇及安裝要求與一般全互補對稱(chēng)功放一樣。應注意的是,兩只三極管應選用高頻二極管,或用高頻三極管的一個(gè)結代替。安裝時(shí)必須把VT1、VT2與功放VT11、VT12進(jìn)行熱耦合,以穩定靜態(tài)電流。由本電路...
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甲乙類(lèi)雙電源互補對稱(chēng)功率放大器電路

  • 由于A(yíng)D9851濾波輸出后的正弦信號幅度值大于1V、輸出電阻很大,我們在濾波器后一級制作了一個(gè)具有自舉功能的甲乙類(lèi)雙電源互補對稱(chēng)功率放大電路,電路原理圖見(jiàn)圖2.5。圖2.5甲...
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10W功率放大器電路

寬頻設計不能滿(mǎn)足?來(lái)看看這款4G小基站用LDMOS功放

  • 隨著(zhù)人們對數據速率要求越來(lái)越高,直接導致無(wú)線(xiàn) 通信系統帶寬的需求也在逐步增加,也同時(shí)推動(dòng)了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續性發(fā)展。
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功率放大器的使用極限

  • 功率放大器為了實(shí)現功率放大器的可靠性設計,就必須考慮放大器的承受能力。通過(guò)功率放大器的安全工作區(SOA)曲線(xiàn)來(lái)確定功率的范圍限制。放大器的承受能力取決于放大器的負載和信號的狀態(tài)。圖1所示的一個(gè)簡(jiǎn)化的功率運
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采用限流保護電路的100W功率放大器電路功能及工作原理分析

  • 電路的功能有效輸出100W的功率放大器多用于音響或超聲波等設備。由于本電路全部由分立元件構成,所以設計時(shí)自由度比較大,因為射極輸出器會(huì )因負載短路而造成大短路電流,所以要采用限流保護措施。此外,通過(guò)更換輸出
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非對稱(chēng)功率輸入Doherty功率放大器研究與設計

  • 摘要:為在高線(xiàn)性的前提下提高LTE基站系統中的功率放大器效率,基于A(yíng)DS軟件設計了一款工作頻段2.5~2.7GHz不對稱(chēng)功率輸入的Doherty功率放大器。采用飛思卡爾公司的MRF6S27015N LDMOS工藝晶體管,設計了一種采用offs
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ab類(lèi)功放電路解析及ab類(lèi)功放與d類(lèi)功放的區別對比分析

  •   首先根據功放不同的放大類(lèi)型可分為:Class A(A類(lèi)也稱(chēng)甲類(lèi))、Class B(B類(lèi)也稱(chēng)乙類(lèi))、Class AB(AB類(lèi)也稱(chēng)甲乙類(lèi))、Class D(D類(lèi)也稱(chēng)數字類(lèi))。這里我們主要討論的是AB類(lèi)功放器。   ab類(lèi)功放原理   甲乙類(lèi)功率放大器也稱(chēng)為AB類(lèi)功率放大器(Class AB),它是兼容A類(lèi)與B類(lèi)功放的優(yōu)勢的一種設計。當沒(méi)有信號或信號非常小時(shí),晶體管的正負通道都常開(kāi),這時(shí)功率有所損耗,但沒(méi)有A類(lèi)功放嚴重。當信號是正相時(shí),負相通道在信號變強前還是常開(kāi)的,但信號轉強則負通道關(guān)閉。當信號是負相
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超高頻RFID讀寫(xiě)器部分電路設計

  • 摘要:本文以設計一種超高頻射頻讀寫(xiě)器為目的,設計和實(shí)現了基于射頻芯片Intel R1000和微控制器AT91SAM9263的讀寫(xiě)器系統,增加了外部PA設計,從而大大提高了讀寫(xiě)器的讀寫(xiě)距離。
    RFID技術(shù)的發(fā)展可以用“日新月
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雙聲道音頻功率放大器電路圖分析

  •   本文主要對雙聲道音頻功率放大器電路圖進(jìn)行了分析,希望對你的學(xué)習有所幫助。   圖是2×30W雙聲道音頻功率放大器,其核心器件ICl采用高保真音響功放集成電路STK465,該電路內包含兩個(gè)性能指標完全相同的功率放大器,分別用 作左、右聲道的功放,可保證兩個(gè)聲道放大器指標的一致性。   電路輸入阻抗30k,輸入靈敏度150mV,電壓增益40dB,頻率響 應:10Hz~100kHz,諧波失真≤0.08%,電源電壓范圍±(25~35)V。   制作時(shí)應注意,正、負電源退耦
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10W高線(xiàn)性802.11n功率放大芯片設計

  • 本文介紹了一款用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點(diǎn),并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術(shù),芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構,飽和輸出功率可達41dBm,功率附加效率達到40%,功率增益為38dB。此外芯片內部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內ESD保護電路,方便用戶(hù)安全使用。
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艾德克斯ITECH與歐洲AR公司正式建立合作伙伴關(guān)系

  •   日前,艾德克斯ITECH與功率放大器技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位的歐洲AR公司簽署市場(chǎng)戰略合作伙伴協(xié)議,?AR?公司將在英國等五個(gè)重要國家和地區全面代理和銷(xiāo)售ITECH?全系列產(chǎn)品?! TECH?艾德克斯是擁有多年儀器制造經(jīng)驗的專(zhuān)業(yè)制造商,在“功率電子”相關(guān)測試領(lǐng)域的解決方案非常全面,其客戶(hù)遍及世界三十多個(gè)國家和地區,在電源、電池、汽車(chē)電子、新能源等領(lǐng)域擁有專(zhuān)業(yè)測試解決方案,這次與AR公司的合作,是艾德克斯在推行全球化發(fā)展史上的又一重要舉措,這兩家公司都有擁有多年儀器
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RDA 3G/4G射頻功率放大器核心技術(shù)指標達到國際領(lǐng)先水平

  •   2015年12月9日,作為中國領(lǐng)先的射頻及混合信號芯片供應商,銳迪科微電子(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“RDA”)今日宣布其3G/4G射頻功率放大器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“3G/4G PA”)經(jīng)過(guò)客戶(hù)端批量驗證,線(xiàn)性度和功率轉換效率等核心技術(shù)指標已經(jīng)達到國際領(lǐng)先水平。   2015年12月9日,作為中國領(lǐng)先的射頻及混合信號芯片供應商,銳迪科微電子今日宣布其3G/4G射頻功率放大器經(jīng)過(guò)客戶(hù)端批量驗證,線(xiàn)性度和功率轉換效率等核心技術(shù)指標已經(jīng)達到國際領(lǐng)先水平。隨著(zhù)3G/4G數據速率的持續
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新一代寬帶寬功率放大器設計

  •   在本文中,我們將比較和對比兩種不同的寬帶高效功率放大器設計技術(shù)。一種設計采用一種非均勻分布式放大器拓撲結構,完全集成于一個(gè)MMIC之中,其輸入和輸出匹配至50 Ω。另一種設計采用混合式設計技術(shù),在封裝中集成了橋接-T輸入匹配MMIC?! 」β史糯笃魇菢嫿ㄐ乱淮ㄐ畔到y的核心組件,這類(lèi)通信系統需要超寬的帶寬以支持高數據速率。為了設計一款高效的功率放大器,晶體管必須工作于開(kāi)關(guān)模式之下,并且/或者具有反射端接諧波。然而,為了能在一個(gè)以上倍頻程帶寬下正常工作,在較低頻率下,諧波端應在帶內。此外,Bode-Fa
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功率放大器參數的性能

  •   功率放大器的概念在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅動(dòng)某一負載(例如揚聲器)的放大器。   音頻功率放大器: 將從調音臺輸出的又經(jīng)過(guò)周邊設備加工過(guò)的音頻信號轉換成強勁的功率,饋給揚聲系統,推動(dòng)揚聲器單元,使之放出優(yōu)美動(dòng)聽(tīng)的聲波功率放大器的性能參數主要包括輸出功率、頻率特性、信噪比(正常聲音信號與無(wú)信號時(shí)噪聲信號的比值)、阻尼特性(放大器的額定負載(揚聲器)阻抗與功率放大器實(shí)際阻抗的比值)、瞬間相應以及非線(xiàn)性失真等。其中,輸出功率、頻率特性、信噪比和阻尼特性,通常稱(chēng)作靜態(tài)特性;而瞬間相應以及非線(xiàn)
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功率放大器介紹

功率放大器簡(jiǎn)介  利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應管的電壓控制作用將電源的功率轉換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波,即交流信號電流,三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍,β是三極管的交流放大倍數,應用這一點(diǎn),若將小信號注入基極,則集電極流過(guò)的電流會(huì )等于基極電流的β倍,然后將這個(gè)信號用隔直電容隔離出來(lái),就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號,這現象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細 ]
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