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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率變換器

意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

  • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設計，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著(zhù)減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  GaN  功率變換器  

基于A(yíng)nsoft仿真針對HEV/EV市場(chǎng)的IGBT模塊

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字： ANSOFT  HEV/EV  IGBT模塊  功率變換器  仿真  

用于功率變換器的IGBT驅動(dòng)核心電路

  • 除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件――就是IGBT驅動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器...
  • 關(guān)鍵字： 功率變換器  IGBT驅動(dòng)  

DC/DC功率變換器軟開(kāi)關(guān)技術(shù)及Pspice仿真

  • 本文介紹了軟開(kāi)關(guān)變換相對于傳統電路中的硬開(kāi)關(guān)變換的優(yōu)點(diǎn)，對幾種典型的軟開(kāi)關(guān)進(jìn)行了敘述和比較，并給出了其中兩個(gè)有代表性變換電路的Pspice仿真結果，最后提出了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。
  • 關(guān)鍵字： Pspice  DC  功率變換器  仿真    

一種新型功率變換器的電磁干擾分析及抑制

  • 本文詳細地分析了一種新型功率變換器的電磁干擾的干擾源、耦合路徑以及敏感電路，并在分析干擾產(chǎn)生與耦合機理的基礎上，提出了相應的電磁兼容設計的方法與思路。最后提出了抑制其電磁干擾的一些具體方法。
  • 關(guān)鍵字： 功率變換器  電磁干擾  分析    
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功率變換器介紹

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