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全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管
全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管 文章 進(jìn)入全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管技術(shù)社區
北大 "鉍基芯片" 橫空出世：硅時(shí)代，再見(jiàn)！
- 北京大學(xué)正大步邁入后硅時(shí)代與埃米級（?ngstr?m）半導體領(lǐng)域。該校研究團隊近日在《自然》雜志發(fā)表論文，宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管（GAAFET），這項由彭海林教授、邱晨光教授領(lǐng)銜的跨學(xué)科成果，被團隊成員稱(chēng)為 "里程碑式突破"。 彭海琳團隊合影（右一為彭海琳）技術(shù)核心：從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團隊制備出論文所述的 "晶圓級多層堆疊單晶二維全環(huán)繞柵結構"。何為二維環(huán)柵晶體管？顧名
- 關(guān)鍵字： 北京大學(xué) GAAFET 全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管 芯片設計
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全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管的理解，并與今后在此搜索全環(huán)繞柵場(chǎng)效應晶體管的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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