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臺積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車(chē)MCU
- 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節點(diǎn)上制造。自第一個(gè)發(fā)動(dòng)機管理系統問(wèn)世以來(lái)，嵌入式閃存微控制器一直是汽車(chē)電子控制單元(ECU)的主要構建塊。目前，市場(chǎng)上大多數MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進(jìn)一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò )功能的最新趨勢相
- 關(guān)鍵字： 臺積電 RRAM 入英飛凌 汽車(chē)MCU
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