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信越化學(xué)
信越化學(xué) 文章 進(jìn)入信越化學(xué)技術(shù)社區
信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助
- 第三代半導體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導體材料大廠(chǎng)信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(cháng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開(kāi)始供應樣品。圖片來(lái)源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現有的Si生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(cháng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實(shí)現大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(cháng)，并抑制SEMI標準厚度的QS
- 關(guān)鍵字： 信越化學(xué) 氮化鎵 外延生長(cháng)
信越推出新型半導體后端制造設備，可無(wú)需中介層實(shí)現 HBM 內存 2.5D 集成
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開(kāi)發(fā)出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案?！?nbsp;蝕刻圖案這意味著(zhù)可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也縮短了先進(jìn)封裝流程?！?nbsp;2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線(xiàn)，無(wú)需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統制造路線(xiàn)無(wú)法企及的精細度。結合信越化學(xué)開(kāi)發(fā)的光
- 關(guān)鍵字： 信越化學(xué) HBM 先進(jìn)封裝
日本信越化學(xué)擬投資50億日元在越南建LED材料廠(chǎng)
- 日本最大化學(xué)公司信越化學(xué)株式會(huì )社將在越南投建兩個(gè)工廠(chǎng)，分別生產(chǎn)高亮度LED燈用的硅基材料和高純稀土材料，總投資50億日元，約合6400萬(wàn)美元。 根據信越化學(xué)公告，公司將投資20 億日元，在越南海防市的庭武工業(yè)園區建立一個(gè)占地80000平方米的稀土分離和精煉廠(chǎng)。于2013年2月投入生產(chǎn),預計年處理稀土礦1000噸，越南新工廠(chǎng)被認為可緩解該公司對中國稀土的依賴(lài)。 同時(shí)，信越電子材料越南有限公司將在越南北部興安省的工業(yè)園區興建占地50000平方米的工廠(chǎng)，生產(chǎn)高亮度LED燈用的硅基材料，總投資30
- 關(guān)鍵字： 信越化學(xué) LED
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信越化學(xué)介紹
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