低阻抗存儲芯片 文章 進(jìn)入低阻抗存儲芯片技術(shù)社區

韓研究院報告：絕大多數半導體技術(shù)已被中國趕超

• 2 月 23 日消息，據韓聯(lián)社報道，韓國科技評估與規劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調查報告指出，韓國絕大多數的半導體技術(shù)已經(jīng)被中國趕超。研究院針對 39 名國內專(zhuān)家實(shí)施問(wèn)卷調查的結果顯示，截至去年，韓國所有半導體領(lǐng)域的基礎力量均落后于中國。若將技術(shù)最先進(jìn)國家的水平設為 100%，韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術(shù)領(lǐng)域就為 90.9%，低于中國（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能芯片領(lǐng)域，韓國（84.1%）仍不及中國（88.3%）。在功率半導體方面，韓國為 67.5%，中國高達 7
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