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傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（tlp）
傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（tlp） 文章 進(jìn)入傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（tlp）技術(shù)社區
【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線(xiàn)脈沖TLP，怎么測？
- 隨著(zhù)電子器件在汽車(chē)和其他產(chǎn)品上的應用越來(lái)越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來(lái)越高、體形也越來(lái)越小、研發(fā)的難度也越來(lái)越高，這些器件通常具有線(xiàn)間距短、線(xiàn)細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導致了這類(lèi)器件對靜電的要求越來(lái)越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會(huì )使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： ESD TLP
如何測試ESD保護設計中的傳輸線(xiàn)脈沖TLP
- 隨著(zhù)電子器件在汽車(chē)和其他產(chǎn)品上的應用越來(lái)越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來(lái)越高、體形也越來(lái)越小、研發(fā)的難度也越來(lái)越高，這些器件通常具有線(xiàn)間距短、線(xiàn)細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導致了這類(lèi)器件對靜電的要求越來(lái)越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會(huì )使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： ESD 保護設計 傳輸線(xiàn)脈沖 TLP
保護環(huán)對雙向可控硅靜電防護器件電容特性 的影響*
- 摘? 要：本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時(shí)利用傳輸線(xiàn)脈沖（TLP）測試儀 分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環(huán)的增加對器件靜電防護能力無(wú)較大影響，但在1?
- 關(guān)鍵字： 202206 雙向可控硅 保護環(huán) 寄生電容 傳輸線(xiàn)脈沖測試系統
帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現了一種陽(yáng)極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過(guò)增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
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傳輸線(xiàn)脈沖測試系統（tlp）介紹
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