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二硫化鉬
二硫化鉬 文章 進(jìn)入二硫化鉬技術(shù)社區
重磅消息！美國芯片實(shí)現重大突破，有望引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命！
- 近日，美國麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團隊取得了一項重大突破，他們開(kāi)發(fā)出了一種全新的技術(shù)，可以將低溫生長(cháng)區與高溫硫化物前體分解區分離，并通過(guò)金屬有機化學(xué)氣相沉積法，在低于300℃的溫度下合成二維材料。這項技術(shù)可以直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長(cháng)，從而實(shí)現更高層次的芯片建造。這項技術(shù)的意義非常重大，如果成熟并得到廣泛應用，將會(huì )引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命。人工智能和機器人技術(shù)將會(huì )迅速發(fā)展，賽博朋克世界或許也會(huì )很快到來(lái)。為什么這項技術(shù)如此重要呢？首先，我們需要了解芯片在現代社會(huì )中扮演著(zhù)什么樣的角色。芯片是
- 關(guān)鍵字： MIT 二硫化鉬
突破摩爾定律 原子級芯片取得革命性突破
- 據報道，麻省理工學(xué)院的研究團隊最近成功開(kāi)發(fā)出了一種基于二硫化鉬的原子級薄晶體管，這個(gè)突破將對芯片技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。傳統的半導體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結構，將多層晶體管堆疊起來(lái)實(shí)現更密集的集成非常困難。而這種原子級的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個(gè)晶體管只有3個(gè)原子厚，可以堆疊起來(lái)制造更強大的芯片。這項技術(shù)的突破將有望推動(dòng)芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入一個(gè)新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域帶來(lái)重大影響。此外，這種技術(shù)還可以為柔性電子設備、可穿戴技術(shù)和智能紡織品等領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： 二硫化鉬 MIT
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二硫化鉬介紹
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