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上電時(shí)序
上電時(shí)序 文章 進(jìn)入上電時(shí)序技術(shù)社區
電路設計要考慮的異常情況
- 電路設計要考慮的異常情況：電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序一、異常情況的思考異常情況的思考1、 電流倒灌集成電路的典型模型如下：1、 D1在大多數CMOS集成電路中起著(zhù)防靜電功能.同時(shí)輔助起著(zhù)輸入端限幅作用。但是在A(yíng)BT,LVT,LVC和AHC/AHCT類(lèi)集成電路中無(wú)此二極管。2、D2是半導體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數字集成電路),其輔助功能為對線(xiàn)路反射的下沖信號進(jìn)行限幅，提供一些放電保護功能。3、D3用于保護CMOS電路在放電時(shí)的干擾。在大多數雙極性器件中也存在此二極管，但為寄生
- 關(guān)鍵字： 電路設計 電路保護 電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護、過(guò)壓保護、上電時(shí)序
基于TPS65105 的TFT-LCD電源設計方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： TFT-LCD 上電時(shí)序 驅動(dòng)電壓 TPS65105
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上電時(shí)序介紹
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