EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
米勒電容
米勒電容 文章 進(jìn)入 米勒電容技術(shù)社區
米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策
- 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應”這個(gè)詞困擾。米勒效應增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應對呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開(kāi)通過(guò)程中，GE的電壓從-10V開(kāi)始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開(kāi)始流過(guò)電流，同時(shí)CE電壓下降。CE電壓下降過(guò)程中，門(mén)極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱(chēng)為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續上
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 米勒電容 米勒效應
【E問(wèn)E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應
- 當IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì )遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門(mén)極驅動(dòng)的應用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì )產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì )引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
- 關(guān)鍵字： 米勒電容 IGBT
| 共3條 1/1 1 |
米勒電容介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條 米勒電容!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 米勒電容的理解，并與今后在此搜索 米勒電容的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 米勒電容的理解，并與今后在此搜索 米勒電容的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473