全球光刻機市場(chǎng)競爭加劇，ASML財報引發(fā)關(guān)注...

近日，ASML發(fā)布最新三季度財報后，股價(jià)創(chuàng )26年來(lái)最大跌幅引起市場(chǎng)極大關(guān)注。在此期間，尼康和佳能陸續發(fā)布的光刻機研發(fā)最新進(jìn)展也引起行業(yè)聚焦。

全球光刻機行業(yè)領(lǐng)導者ASML近期發(fā)布了其三季度財報和四季度財報指引，并下調了2025財年的業(yè)績(jì)預期。由于國際形勢和半導體產(chǎn)業(yè)需求的抑制，ASML在美國上市的股票遭受了26年來(lái)的最大跌幅，當日股價(jià)下跌16%。

具體財報而言，ASML三季度實(shí)現營(yíng)收75億歐元，毛利率達50.8%，凈利潤達21億歐元。這主要得益于DUV光刻系統銷(xiāo)售額和裝機管理銷(xiāo)售額的增加。但同時(shí)，ASML新增訂單金額達26億歐元，比市場(chǎng)預期的54億歐元減少近一半。

市場(chǎng)對High NA EUV光刻機的走向保持高度關(guān)注。據路透社近日披露消息，三星因在美國得克薩斯州的工廠(chǎng)未能吸引大客戶(hù)，推遲了接收ASML生產(chǎn)的光刻機。同時(shí)，三星也推遲了向其他一些供應商下訂單，致使這些供應商不得不另覓客戶(hù)。

三星在今年4月表示，其德州工廠(chǎng)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)，而非原定的2024年。三星電子會(huì )長(cháng)李在镕本月早些時(shí)候公開(kāi)表示，這家工廠(chǎng)面臨挑戰。三星電子推遲收貨行為也影響著(zhù)阿斯麥業(yè)績(jì)。阿斯麥提供的數據顯示，在韓銷(xiāo)售額今年三季度環(huán)比下滑三分之一至8.89億歐元。

英特爾和臺積電方面，近期A(yíng)SML新任首席執行官傅恪禮Christophe Fouquet透露，英特爾的第二臺High NA EUV光刻機已經(jīng)順利完成組裝，而臺積電的首臺High NA EUV光刻機預計最快在今年年底完成交貨。

對于四季度和明年發(fā)展預計，Christophe Fouquet在聲明中表示，盡管人工智能領(lǐng)域展現出強勁的發(fā)展勢頭，但半導體市場(chǎng)的復蘇進(jìn)程比預期緩慢，預計這一趨勢將持續到2025年。傅恪禮還提到，由于晶圓代工廠(chǎng)之間的競爭態(tài)勢，部分客戶(hù)的新技術(shù)節點(diǎn)發(fā)展態(tài)勢放緩，影響了對光刻設備的需求時(shí)間節點(diǎn)，尤其是在EUV光刻機方面。而在存儲芯片領(lǐng)域，新增產(chǎn)能有限，發(fā)展重點(diǎn)依然是技術(shù)轉型，以滿(mǎn)足對人工智能相關(guān)的高帶寬內存(HBM)和第五代雙倍數據速率隨機存取存儲器(DDR5)的需求。

在光刻機市場(chǎng)競爭中，佳能的策略是專(zhuān)注于KrF和i-line，而不涉及EUV和ArF等尖端產(chǎn)品，這種策略非常有效。這是因為，在半導體制造中，無(wú)論多么尖端，都不能僅靠EUV制造，而是統一使用ArF浸潤式、ArF干式、KrF和i-line。
近期日本佳能宣布，成功交付佳能最先進(jìn)的納米壓印光刻NIL系統FPA-1200NZ2C。據悉，佳能的FPA-1200NZ2C系統可實(shí)現最小14nm線(xiàn)寬的圖案化，支持5nm制程邏輯半導體生產(chǎn)。

公開(kāi)資料顯示，納米壓印與光刻是兩種不同的技術(shù)路線(xiàn)。兩者的目標相同，簡(jiǎn)單描述就是將設計好的集成電路圖“復制粘貼”到硅片上。而實(shí)現方法卻大有不同，形象地比喻類(lèi)似“照相”與“蓋印章”。

傳統的光刻機通過(guò)將電路圖案投影到涂有光刻膠的晶圓上來(lái)轉移電路圖案，佳能的設備則是通過(guò)將“印有電路圖案的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠中”來(lái)生產(chǎn)芯片。由于電路圖案的轉移不需要通過(guò)光學(xué)機制，掩模上的精細電路圖案可以在晶圓上如實(shí)再現。

佳能表示，相較于傳統光刻機需要復雜的光學(xué)鏡片構造，納米壓印設備的構造更為簡(jiǎn)單，功耗僅需十分之一。同時(shí)還能通過(guò)單次壓印形成復雜的三維電路圖案，能夠處理用于最先進(jìn)邏輯芯片的極細電路。

據悉，這次交付的首臺設備將被送往美國得克薩斯電子研究所。該研究所是得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校支持的一個(gè)團體組織，成員包括英特爾和其他芯片公司、公共部門(mén)和學(xué)術(shù)組織，這臺設備將被用于芯片制造的研究與開(kāi)發(fā)工作。佳能光學(xué)產(chǎn)品副首席執行官Kazunori Iwamoto對媒體表示，公司計劃在未來(lái)3-5年內，每年銷(xiāo)售10-20臺此類(lèi)設備。

就在該消息公布的三天之前，佳能還發(fā)布了新型半導體曝光設備FPA-3030i6，這是一款配備新開(kāi)發(fā)投影鏡頭的i-line步進(jìn)機。新產(chǎn)品FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半導體曝光設備。該設備通過(guò)采用新開(kāi)發(fā)的高透過(guò)率和高耐久性投影鏡頭，既能抑制高照度曝光下產(chǎn)生的像差，又能縮短曝光時(shí)間，從而提高生產(chǎn)力。此外，代表鏡頭分辨率的NA（數值孔徑）范圍擴大、對應特殊基板的搬送系統等，有多項option（有償）可供選擇，從而滿(mǎn)足多種半導體器件（如功率器件和綠能器件）的制造需求。

而尼康依舊想在A(yíng)rF浸潤式和ArF干法領(lǐng)域有所收獲。據悉，尼康計劃在2026財年之前陸續推出三款半導體光刻機，進(jìn)一步通過(guò)增加氟化氬（ArF）干式、氟化氪（KrF）以及i線(xiàn)三種波長(cháng)的光刻機，擴展產(chǎn)品線(xiàn)并追趕競爭對手。

10月22日尼康宣布，公司正在研發(fā)一款面向半導體先進(jìn)封裝工藝應用、“兼具高分辨率及高生產(chǎn)性能”的1.0微米（即1000納米）分辨率數字光刻機，該設備預計在尼康2026財年內發(fā)售。

尼康表示，隨著(zhù)數據中心AI芯片用量的不斷提升，在以Chiplet芯粒技術(shù)為代表的先進(jìn)封裝領(lǐng)域出現了對基于玻璃面板的PLP封裝技術(shù)日益增長(cháng)的需求，分辨率高且曝光面積大的后端光刻機也愈發(fā)不可或缺。尼康正在研發(fā)的后端數字光刻機，將半導體光刻機代表性的高分辨率技術(shù)同顯示產(chǎn)業(yè)所用FPD曝光設備的多透鏡組技術(shù)相融合。其曝光過(guò)程無(wú)需使用掩膜，而是利用SLM（空間光調制器）來(lái)生成所設計的電路圖案，從光源發(fā)出的光經(jīng)SLM反射后通過(guò)透鏡光學(xué)組，最終在基板上成像。據悉，新設備相較于傳統的有掩膜工藝可同時(shí)削減后端工藝的成本和用時(shí)。

尼康近兩年不斷加強研發(fā)，加速迭代其光刻設備。今年1月，尼康正式發(fā)布ArF浸沒(méi)式光刻機NSR-S636E，這種光刻機使用氟化氬激光器來(lái)生產(chǎn)芯片。

尼康稱(chēng)，作為半導體生產(chǎn)過(guò)程中關(guān)鍵層的曝光系統，NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產(chǎn)效率，并具有高水準的套刻精度和生產(chǎn)速度，可為尖端半導體器件中的3D等器件結構多樣化的挑戰提供解決方案。NSR-S636EArF浸沒(méi)式曝光機采用增強型iAS，該創(chuàng )新系統可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達成了高重疊精度（MMO≤2.1nm）。曝光面積為26毫米×33毫米，生產(chǎn)速度則是增加到每小時(shí)280片，加上減少停機時(shí)間，使得其與當前型號相比，整體生產(chǎn)率提高了10~15%，已達到尼康光刻設備中最高的生產(chǎn)效率。