CIAS2024黃金贊助 飛锃半導體攜產(chǎn)品重磅來(lái)襲!

PART/1
公司簡(jiǎn)介
飛锃半導體(Alpha Power Solutions,簡(jiǎn)稱(chēng)APS)是中國領(lǐng)先的第三代碳化硅功率半導體器件供應商,國內最早從事碳化硅器件研發(fā)的公司之一,率先成功地使用6英寸碳化硅(SiC)技術(shù),實(shí)現國內該領(lǐng)域技術(shù)破冰。飛锃半導體采用CIDM策略,已經(jīng)在新能源、光伏、充電樁行業(yè)等國內頭部企業(yè)成功部署應用,為他們提供優(yōu)化的碳化硅產(chǎn)品,為碳中和提供解決方案。
飛锃半導體成立于2018年,總部位于上海,在深圳、香港、北京等地均設有分子公司。公司匯聚了國內功率器件領(lǐng)域頂尖的人才團隊,多位核心領(lǐng)導曾擔任中芯國際、士蘭微等公司中高層,核心研發(fā)和市場(chǎng)團隊多來(lái)自意法半導體、英飛凌、安森美等國際領(lǐng)先的半導體公司,在FAB運營(yíng)、晶圓大規模生產(chǎn)及制造等方面擁有高超的專(zhuān)業(yè)能力和豐富的經(jīng)驗,具備從設計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈資源。
飛锃半導體能夠快速突破并取得成功,離不開(kāi)多年來(lái)對技術(shù)創(chuàng )新的持續投入和積累。公司的員工中,有58%以上是研發(fā)人員,他們致力于技術(shù)創(chuàng )新,已獲得超過(guò)40余項自主研發(fā)的專(zhuān)利。在國內功率器件領(lǐng)域中,飛锃半導體技術(shù)的積淀和研發(fā)能力都處于領(lǐng)先地位。
截至2023年,1200V碳化硅器件累計出貨超過(guò)了2400萬(wàn)顆,得到了新能源汽車(chē)、消費電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶(hù)好評。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升,相比2022年,SiC MOSFET創(chuàng )造的營(yíng)收從17%增長(cháng)至50%,這表明市場(chǎng)對飛锃半導體產(chǎn)品的認可,也推動(dòng)了公司業(yè)務(wù)的持續增長(cháng)和市場(chǎng)地位的提升。
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PART/2
產(chǎn)品
01
最新一代(Gen3)碳化硅MOSFET:
飛锃半導體推出的第三代碳化硅MOSFET,包含多種市場(chǎng)主流規格,如1200V 14/18/30/40/80mohm和750V 11mohm,以滿(mǎn)足不同應用的需求。在產(chǎn)品結構上,第三代碳化硅MOSFET與上一代相比經(jīng)過(guò)了進(jìn)一步的技術(shù)及工藝改進(jìn),產(chǎn)品具備了更好的參數一致性,更低的開(kāi)關(guān)損耗、以及更出色的導通特性,以滿(mǎn)足高可靠性和高性能的應用需求,廣泛應用于充電樁、光伏&儲能、車(chē)載OBC/DCDC/主驅等領(lǐng)域。
飛锃半導體第3代SiC MOSFET具有以下特點(diǎn):
1. 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2. 具有獨立驅動(dòng)源引腳的優(yōu)化封裝
3. 高阻斷電壓和低導通電阻
4. 低開(kāi)關(guān)損耗
5. 具有低反向恢復 (Qrr) 的體二極管
6. 可通過(guò)AEC-Q101車(chē)規認證
02
車(chē)規級SiC MOSFET助力車(chē)企提升效率與安全
目前,飛锃半導體已經(jīng)量產(chǎn)了車(chē)規級碳化硅MOSFET產(chǎn)品,其中包括1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm規格,采用了TO247-4和TO263-7封裝形式。這些產(chǎn)品具備高可靠性和高魯棒性,同時(shí)還展現出卓越的開(kāi)關(guān)性能和導通特性。此外,它們還具備出色的體二極管反向恢復特性,能夠顯著(zhù)降低車(chē)載充電(OBC)和DC-DC應用的系統成本。所有產(chǎn)品均通過(guò)了車(chē)規AEC-Q101可靠性驗證,并且通過(guò)了960V高壓H3TRB加嚴測試。
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