士蘭微募資65億，發(fā)展SiC功率器件等項目

來(lái)源：

近日，杭州士蘭微發(fā)布2022年度非公開(kāi)發(fā)行A股股****預案。士蘭微在yu本次非公開(kāi)發(fā)行A股股****募集資金總額不超過(guò)650,000.00萬(wàn)元（含本數），扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投資于如下項目：

按照士蘭微所說(shuō)，半導體集成電路是全球重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一，是當今世界競爭最激烈、發(fā)展最迅速的領(lǐng)域，對世界經(jīng)濟的發(fā)展有著(zhù)強有力的驅動(dòng)作用，是 21 世紀信息社會(huì )高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要基礎。

中國半導體行業(yè)經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展，經(jīng)歷了自主研發(fā)創(chuàng )業(yè)、引進(jìn)提高和重點(diǎn)建設三個(gè)重要發(fā)展階段。目前，中國半導體產(chǎn)業(yè)雖然已有一定的產(chǎn)業(yè)基礎，但是在產(chǎn)品設計開(kāi)發(fā)能力、生產(chǎn)技術(shù)水平、產(chǎn)品銷(xiāo)售額和市場(chǎng)占比等方面，與經(jīng)濟發(fā)達國家相比仍有相當的距離，其中核心的關(guān)鍵產(chǎn)品仍以進(jìn)口為主。面對國內外半導體廣闊的市場(chǎng)需求和發(fā)展機遇，大力發(fā)展中國的半導體產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟信息化和實(shí)現中國國民經(jīng)濟發(fā)展第三步戰略目標的迫切需要，也是增強中國在下一個(gè)世紀綜合經(jīng)濟實(shí)力和競爭實(shí)力的必然要求。

我國“十四五”規劃將半導體和集成電路列為“事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領(lǐng)域”，集成電路設計工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)以及集成電路先進(jìn)工藝、IGBT 和 MEMS 等特色工藝突破都被予以重點(diǎn)關(guān)注。政策的強力支持將持續推動(dòng)中國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級，推動(dòng)一批有實(shí)力的國產(chǎn)廠(chǎng)商打破國際巨頭的技術(shù)壟斷，逐步推動(dòng)半導體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代的進(jìn)程。

士蘭微進(jìn)一步指出，功率芯片可以用來(lái)控制電路通斷，從而實(shí)現電力變換。據 Omida 預計，2021年全球和中國功率半導體市場(chǎng)空間分別為 462 億美元和 182 億美元，至 2025 年有望分別達到 548 億美元和 195 億美元，2021 年至 2025 年的復合增速分別為5.92%和 4.55%。

而作為第三代半導體材料的典型代表，SiC 具有寬禁帶寬度，高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場(chǎng)合下極為理想的半導體材料。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，SiC 功率半導體主要用于驅動(dòng)和控制電機的逆變器、車(chē)載 DC/DC 轉換器、車(chē)載充電器（OBC）等。車(chē)載充電器和充電樁使用 SiC 器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢，可實(shí)現充電系統高效化、小型化和高可靠性。

據 Yole 預測，2025 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模將達到 25.62 億美元，2019-2025 年均復合增長(cháng)率超過(guò) 30%；其中新能源汽車(chē)市場(chǎng)（主逆變器+車(chē)載充電器+車(chē)載 DC/DC 轉換器）規模占比最大，增速最快，2025 年新能源汽車(chē)市場(chǎng) SiC 功率半導體規模達到 15.53 億美元，2019-2025年均復合增長(cháng)率達到 38%。隨著(zhù)新能源汽車(chē)及其充電系統的快速發(fā)展，SiC 功率半導體市場(chǎng)空間廣闊。

在士蘭微方面，經(jīng)過(guò)二十多年的發(fā)展，堅持走“設計制造一體化”道路的公司已經(jīng)打通了“芯片設計、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現了“從 5 吋到 12 吋”的跨越，在功率半導體（功率 IC、功率器件和功率模塊）、MEMS 傳感器、光電產(chǎn)品和高端 LED 芯片等領(lǐng)域構筑了核心競爭力，已成為目前國內最主要的半導體 IDM 企業(yè)之一。

士蘭微表示，本次非公開(kāi)發(fā)行募集資金擬主要用于投資建設“年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12 英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目”、“SiC 功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目”和“汽車(chē)半導體封裝項目（一期）”。其中，“年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12 英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目”建成后將形成一條年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12英寸功率芯片生產(chǎn)線(xiàn)，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；“SiC 功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目”達產(chǎn)后將新增年產(chǎn) 14.4 萬(wàn)片SiC-MOSFET/SBD 功率半導體器件芯片的生產(chǎn)能力；“汽車(chē)半導體封裝項目（一期）”達產(chǎn)后將實(shí)現年產(chǎn) 720 萬(wàn)塊汽車(chē)級功率模塊的新增產(chǎn)能。

按照士蘭微所說(shuō)，上述三個(gè)項目建設系公司在高端功率半導體領(lǐng)域的核心戰略規劃之一，是公司積極推進(jìn)產(chǎn)品結構升級轉型的重要舉措。公司將充分利用自身在車(chē)規和工業(yè)級功率半導體器件與模塊領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和 IDM 模式下的長(cháng)期積累，把握當前汽車(chē)和新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇，進(jìn)一步加快產(chǎn)品結構調整步伐，抓住國內高門(mén)檻行業(yè)和客戶(hù)積極導入國產(chǎn)芯片的時(shí)間窗口，擴大公司功率芯片產(chǎn)能規模、銷(xiāo)售占比和成本優(yōu)勢，不斷提升市場(chǎng)份額和盈利能力。該項目的順利實(shí)施有助于提高公司對下游市場(chǎng)的供貨保障能力和客戶(hù)供應鏈安全性，持續鞏固公司國內半導體IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位，實(shí)現打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產(chǎn)品供應商的戰略發(fā)展目標。

本次募集資金投資項目的具體情況

（一）年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12 英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目

1、項目概況

年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12 英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術(shù)升級、持續鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領(lǐng)域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性半導體產(chǎn)品供應商這一戰略發(fā)展目標而計劃實(shí)施的投資項目。

項目實(shí)施主體為公司控股子公司士蘭集昕，募集資金將通過(guò)公司向士蘭集昕增資的方式投入；項目建設地點(diǎn)為浙江省杭州錢(qián)塘新區（下沙）M6-19-3（東區10 號路與 19 號路交叉口）地塊。該項目將建設形成一條年產(chǎn) 36 萬(wàn)片 12 英寸功率芯片生產(chǎn)線(xiàn)，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；項目達產(chǎn)后，新增 FS-IGBT 功率芯片 12 萬(wàn)片/年、T-DPMOSFET 功率芯片12 萬(wàn)片/年和 SGT-MOSFET 功率芯片 12 萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。

（二）SiC 功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目

1、項目概況

SiC 功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術(shù)升級、持續鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領(lǐng)域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性半導體產(chǎn)品供應商這一戰略發(fā)展目標而計劃實(shí)施的投資項目。

項目實(shí)施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵，募集資金將通過(guò)公司向士蘭明鎵增資的方式投入，本次增資后公司將取得士蘭明鎵的控制權；項目建設地點(diǎn)為福建省廈門(mén)市海滄區蘭英路 99 號。該項目在士蘭明鎵現有芯片生產(chǎn)線(xiàn)及配套設施的基礎上，通過(guò)購置生產(chǎn)設備提升 SiC 功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn) SiCMOSFET、SiC SBD 芯片產(chǎn)品；項目達產(chǎn)后，將新增 SiC MOSFET 芯片 12 萬(wàn)片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。

（三）汽車(chē)半導體封裝項目（一期）

1、項目概況

汽車(chē)半導體封裝項目（一期）系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術(shù)升級、持續鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領(lǐng)域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產(chǎn)品供應商這一戰略發(fā)展目標而計劃實(shí)施的投資項目。

項目實(shí)施主體為公司控股子公司成都士蘭，募集資金將通過(guò)公司向成都士蘭增資的方式投入；項目建設地點(diǎn)為四川省成都市成都-阿壩工業(yè)集中發(fā)展區。該項目將在現有功率模塊封裝生產(chǎn)線(xiàn)及配套設施的基礎上，通過(guò)購置模塊封裝生產(chǎn)設備提升汽車(chē)級功率模塊的產(chǎn)能；項目達產(chǎn)后，新增年產(chǎn) 720 萬(wàn)塊汽車(chē)級功率模塊。