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t-flash 文章 進(jìn)入t-flash技術(shù)社區
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線(xiàn)測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統存儲的新寵，因此其上的文件系統研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進(jìn)行在線(xiàn)測試。在給出測試結果的同時(shí)，著(zhù)重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著(zhù)嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應用，嵌入式系統中的數據存儲和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
Flash 單片機自編程技術(shù)的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片Flash存儲器的結構? ???????Flash存儲器模塊是一個(gè)可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線(xiàn)性地址空間中，一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Flash 單片機 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現
- l 引言 在仿真環(huán)境下調試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實(shí)現程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應用中，多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統應用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數據就會(huì )丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數據的存儲體。Flash
- 關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash
內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰線(xiàn)不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統的消費性電子產(chǎn)品旺季出現，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀(guān)點(diǎn)： 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
2008：巨型晶圓廠(chǎng)初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著(zhù)現貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng )下新低，價(jià)格壓力充斥著(zhù)整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(cháng)的市場(chǎng)即將出現。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節增長(cháng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(cháng)，使得部分廠(chǎng)商出現供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統
- 汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設備潛藏著(zhù)卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著(zhù)必須持續監視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙档臋z測算法已通過(guò)健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關(guān)于實(shí)現的詳細描述。 現代
- 關(guān)鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車(chē)電子控制裝置
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場(chǎng)發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(cháng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實(shí)現
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線(xiàn)電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì )丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類(lèi)：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實(shí)現
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線(xiàn)電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì )丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類(lèi)：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FPGA Flash 存儲器 MCU和嵌入式微處理器
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò )存儲中的應用
- 1 引言 隨著(zhù)嵌入式系統廣泛應用，嵌入式系統中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點(diǎn)。在許多現場(chǎng)不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲，必然帶來(lái)數據管理的不便，因此，集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò )傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統數據，采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無(wú)法長(cháng)期在惡劣的環(huán)境中長(cháng)期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字： 通訊 無(wú)線(xiàn) 網(wǎng)絡(luò ) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶(hù)在10月已陸續進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預期11月中旬要開(kāi)始準備年底旺季的備貨需求，根據集邦科技(DRAMeXchange)觀(guān)察，NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現止跌回穩的現象。 隨著(zhù)NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后，下游客戶(hù)采購顆粒開(kāi)始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規格來(lái)得顯著(zhù)。有鑒于9月以來(lái)
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式
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