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rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區
SDR有望成為開(kāi)放無(wú)線(xiàn)電嗎?
- 而射頻(RF)半導體和計算加速技術(shù)的不斷發(fā)展極大的降低了SDR硬件成本,簡(jiǎn)化了相應的軟件實(shí)施,以更低的價(jià)格開(kāi)辟了新應用。機遇來(lái)自當前的下一個(gè)大事件——物聯(lián)網(wǎng)(IoT),以及發(fā)展中國家的低成本重新配置無(wú)線(xiàn)電,還有發(fā)燒友的開(kāi)放平臺等。
- 關(guān)鍵字: RF SDR 開(kāi)放無(wú)線(xiàn)電 DSP 軟件無(wú)線(xiàn)電
RF/ IF放大器使實(shí)現設計方案更容易并保證高性
- 由于人們日益渴望通過(guò)智能手機、TV、GPS 和 Wi-Fi 傳送數據,所以通信基礎設施的有限帶寬幾乎被填滿(mǎn)了。為了滿(mǎn)足這種渴望,通信設計師定義了各種系統,將越來(lái)越多的數據塞進(jìn)有限的帶寬中,不過(guò)數據傳輸速率的提高是有代價(jià)的:需要保真度越來(lái)越高的發(fā)送和接收信號鏈路。
- 關(guān)鍵字: RF/IF放大器 LTC6431-15 LTC6430-15
北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數》專(zhuān)題報道

- 2017年5月25日,英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數》(第5545卷,7655期)出版。最新的自然指數(nature index)表明,在過(guò)去15年中,材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點(diǎn),大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰略的重要組成部分。近年來(lái),中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家,其背后是政府的大規模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而,材料科學(xué)家認為,需要將更多的資源投入到基礎研究的轉化中;應用科學(xué)家表示,如果沒(méi)有足夠的扶持,中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
- 關(guān)鍵字: 集成電路 CMOS
基于RF電路常見(jiàn)設計問(wèn)題,在同塊PCB種數字電路與RF電路如何和諧相處?

- 單片射頻器件大大方便了一定范圍內無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的應用,采用合適的微控制器和天線(xiàn)并結合此收發(fā)器件即可構成完整的無(wú)線(xiàn)通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上,應用于無(wú)線(xiàn)數字音頻、數字視頻數據傳輸系統,無(wú)線(xiàn)遙控和遙測系統,無(wú)線(xiàn)數據采集系統,無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )以及無(wú)線(xiàn)安全防范系統等眾多領(lǐng)域?! ? 數字電路與模擬電路的潛在矛盾 如果模擬電路(射頻) 和數字電路(微控制器) 單獨工作可能各自工作良好,但是一旦將兩者放在同一塊電路板上,使用同一個(gè)電源供電一起工作,整個(gè)系統很可能就會(huì )不穩定。這
- 關(guān)鍵字: RF PCB
后CMOS時(shí)代 Intel稱(chēng)有12種設想可降低產(chǎn)品功耗

- 自從14nm節點(diǎn)開(kāi)始,Intel在傳統CMOS半導體工藝升級上的步伐就慢下來(lái)了,Tick-Tock戰略名存實(shí)亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導體工藝命名規則了。傳統CMOS工藝很可能在2024年終結,對此Intel也不是沒(méi)有準備,最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路,Intel的目標是在保持現有晶圓工廠(chǎng)的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。 根據EE
- 關(guān)鍵字: Intel CMOS
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