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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 交*開(kāi)關(guān)

軟開(kāi)關(guān)半橋DC/DC變換器的PWM控制策略分析

  • 　0 引 言　　半橋DC/DC變換器結構簡(jiǎn)單，控制方便，非常適用于中小功率場(chǎng)合。硬開(kāi)關(guān)變換器高頻時(shí)開(kāi)關(guān)損耗很大，嚴重影響其效率。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可降低開(kāi)關(guān)損耗和線(xiàn)路的EMI，提高效率和功率密度，提高開(kāi)關(guān)頻率從而減小變換
  • 關(guān)鍵字： 策略  分析  控制  PWM  DC/DC  變換器  開(kāi)關(guān)  

PM信號的解調電路開(kāi)關(guān)型二極管環(huán)形鑒相器電路及原理分析

  • 原理電路見(jiàn)圖5.5-34A,令這種電路的分析與兩個(gè)輸入信號的相對大小有密切關(guān)系，在大多數實(shí)際應用中，鑒相器的一個(gè)輸入電壓比另一個(gè)大得多，結果分析可大為簡(jiǎn)化。當滿(mǎn)足U1》U2時(shí)，二極管處于開(kāi)關(guān)開(kāi)作狀態(tài)，其“開(kāi)
  • 關(guān)鍵字： 電路  相器  原理  分析  環(huán)形  開(kāi)關(guān)  信號  解調  PM  二極管  

基于A(yíng)VR單片機的單鍵開(kāi)關(guān)電路應用實(shí)例介紹

  • 1 引 言　　單鍵開(kāi)關(guān)電路已經(jīng)廣泛應用于PDA、手機和電子詞典等數碼產(chǎn)品中，其實(shí)現方式多種多樣。一般可采用RS觸發(fā)器、計數器以及采用555集成電路等等。在單片機的一些實(shí)際應用中，以上的實(shí)現方式會(huì )增加整個(gè)電路的復雜
  • 關(guān)鍵字： 應用  實(shí)例  介紹  電路  開(kāi)關(guān)  AVR  單片機  單鍵  基于  

基于PSpice的升壓型開(kāi)關(guān)穩壓電源設計與仿真

  • 摘要 介紹并分析了升壓型開(kāi)關(guān)變換器的拓撲結構及其仿真波形，以及PWM電流模式的不穩定性及其解決辦法。借助仿真軟件PSpice設計了一款以UC2843為核心的升壓開(kāi)關(guān)穩壓電源。整個(gè)電路易調試、工作穩定、高可靠性、成本低
  • 關(guān)鍵字： 設計  仿真  穩壓電源  開(kāi)關(guān)  PSpice  升壓  基于  

開(kāi)關(guān)電容濾波器前置、后置濾波器的設計

  • 摘要：如何為開(kāi)關(guān)電容濾波器(SCF)合理配置前置、后置濾波器，一直缺少系統的分析和說(shuō)明。在研究SCF工作特性的基礎上，提出了SCF前置、后置濾波器的設計方法。SFC前置、后置濾波器的主要設計參數是轉角頻率和衰減量。
  • 關(guān)鍵字： 濾波器  設計  后置  前置  開(kāi)關(guān)  電容  

電壓開(kāi)關(guān)中常見(jiàn)的問(wèn)題及其解決方法

  • 與開(kāi)關(guān)卡的連接也是一個(gè)產(chǎn)生發(fā)熱電壓的來(lái)源。我們應該盡量采用沒(méi)有鍍錫的銅線(xiàn)連接開(kāi)關(guān)卡，并且保持所有引線(xiàn)處于相同的溫度?？梢圆捎靡粋€(gè)短路通道構建零基值的方式對偏移電壓進(jìn)行補償。但是，這種補償方式并不理想，
  • 關(guān)鍵字： 解決  方法  及其  問(wèn)題  開(kāi)關(guān)  常見(jiàn)  電壓  

與非門(mén)組成多路觸摸開(kāi)關(guān)電路圖及原理介紹

  • 圖中所示是用TTL與非門(mén)組成的多路觸摸開(kāi)關(guān)，具有結構簡(jiǎn)單、安裝調試十分容易等特點(diǎn)。圖示線(xiàn)路當開(kāi)啟電源時(shí)，由于C1兩端的電壓不能突變，故BG1集電極為“0”，此時(shí)BG2的源極電壓為“1”，由F1、F
  • 關(guān)鍵字： 原理  介紹  電路圖  開(kāi)關(guān)  組成  觸摸  與非門(mén)  

FPGA上同步開(kāi)關(guān)噪聲的分析與解決方法介紹

  • FPGA上同步開(kāi)關(guān)噪聲的分析與解決方法介紹,概述 　　隨著(zhù)半導體技術(shù)的快速發(fā)展，近年來(lái)FPGA 的器件容量和輸入輸出的管腳數量都極大的增加了，例如StratixIV 器件，最大的一款EP4SE680 擁有68.11 萬(wàn)個(gè)邏輯單元和1104個(gè)輸入輸出管腳。大量的輸出管腳在同一時(shí)刻翻
  • 關(guān)鍵字： 解決  方法  介紹  分析  噪聲  同步  開(kāi)關(guān)  FPGA  

一種非接觸式電容感應開(kāi)關(guān)設計與實(shí)現

  • 摘要：基于電容感應開(kāi)關(guān)特性，采用將被測電容轉換成微處理器可直接處理的二進(jìn)制數字信號，克服了傳統易受寄生電容和電源電壓穩定性不足的影響，并且通過(guò)對電容感應式開(kāi)關(guān)設計中存在的高頻噪聲、溫度、濕度及其他外界
  • 關(guān)鍵字： 設計  實(shí)現  開(kāi)關(guān)  感應  電容  非接觸式  

電容傳感器與傳統的機械開(kāi)關(guān)性能對比

  • 電容傳感器在便攜產(chǎn)品中的應用：電容觸摸傳感器接口通常由一個(gè)電容傳感器、一個(gè)電容數字轉換器(CDC)和一個(gè)主處理器組成(圖1)。傳感器利用標準兩層或四層PCB上的走線(xiàn)(trace)或柔性電路制造，因此不需要任何外部元件或
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開(kāi)關(guān)變壓器講解之直流脈沖對鐵芯的磁化

  • 直流脈沖對鐵芯的磁化過(guò)程類(lèi)似電容器充、放電，不同之處在于當電流消失之后鐵芯中存在剩磁。經(jīng)過(guò)N個(gè)直流脈沖之后，磁通密度和磁場(chǎng)強度以及磁矯頑力三者之間會(huì )形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡點(diǎn)，使變壓器鐵芯中的最大磁通密度Bm和剩
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  磁化  直流  講解  變壓器  開(kāi)關(guān)  

開(kāi)關(guān)變壓器講解之交流脈沖對鐵芯的磁化

  • 相對于直流脈沖而言，交流脈沖對鐵芯的磁化不用擔心磁飽和的問(wèn)題，它的磁通在一個(gè)周期內組成一個(gè)閉合的曲線(xiàn)。隨著(zhù)輸入電壓周而復始的循環(huán)變化。直流脈沖對鐵芯磁化的時(shí)候，磁場(chǎng)強度和勵磁電流的變化幅度都要經(jīng)過(guò)一個(gè)
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  磁化  交流  講解  變壓器  開(kāi)關(guān)  

單片機控制的開(kāi)關(guān)式CO2激光器電源

  • 1 電腦控制系統組成根據目前國外CO2激光治療機的各種功能要求，我們設計的電源系統框圖如圖1所示。該電源控制系統可通過(guò)鍵盤(pán)進(jìn)行如下幾方面的控制：①可以控制輸出功率大小并可對激光功率測試和顯示；②可以選擇九種
  • 關(guān)鍵字： 激光器  電源  CO2  開(kāi)關(guān)  控制  單片機  

基于電感開(kāi)關(guān)電源的功率開(kāi)關(guān)功耗

  • 基于電感的開(kāi)關(guān)電源（SM-PS）包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數開(kāi)關(guān)電源設計選擇MOSFET作開(kāi)關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。

    MOSFET完全打開(kāi)時(shí)的導
  • 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)  功耗  功率  開(kāi)關(guān)電源  電感  基于  

降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理

  • 基于電感的開(kāi)關(guān)電源（SM-PS）包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數開(kāi)關(guān)電源設計選擇MOSFET作開(kāi)關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導通狀態(tài)具有相對較低的功耗。MOSFET完全打開(kāi)時(shí)的導通電阻（
  • 關(guān)鍵字： 原理  損耗  開(kāi)關(guān)  開(kāi)關(guān)電源  降低  
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交*開(kāi)關(guān)介紹

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