國際整流器公司(簡(jiǎn)稱(chēng)IR，紐約證交所代號IRF)是先進(jìn)功率管理技術(shù)包括數字、模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件以及功率系統的先驅及全球領(lǐng)導者。世界頂級的計算機、電器、汽車(chē)、消費類(lèi)電子產(chǎn)品以及防御系統的制造商均憑借IR先進(jìn)技術(shù)而實(shí)現其產(chǎn)品的卓越性能。今天，功率管理技術(shù)在拯救全球日益委縮的能源資源方面，扮演著(zhù)前所未有的重要角色，但同時(shí)也要跨越艱巨的技術(shù)障礙。

iP2010采用了IR公司創(chuàng )新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延功率器件技術(shù)平臺GaNpowIR^TM。GaN的電場(chǎng)性能遠強于硅，而且具有傳導率極佳的器件結構，因此基于GaN的器件可以在工作電壓和導通電阻之間取得極佳的折衷。與基于硅的類(lèi)似器件相比，GaN器件能夠高效地工作在非常高的頻率，因為它們的柵極電荷（Qg）有顯著(zhù)減少，而且器件開(kāi)關(guān)RDS(on)*Qg品質(zhì)因數（FOM）也遠低于硅。

iP2010目前主要用于服務(wù)器、路由器、交換機和通用轉換器中的負載點(diǎn)（POL）和多相穩壓器。iP2010集成了一個(gè)與多開(kāi)關(guān)單片硅基氮化鎵功率器件匹配的專(zhuān)用PowIRtune^TM驅動(dòng)芯片。這種專(zhuān)有的PowIRtune^TM驅動(dòng)芯片采用了一種超快的檢測機制，能夠通過(guò)調整死區時(shí)間來(lái)獲得最優(yōu)性能，并能在各種負載電流、輸入電壓和溫度條件下保持最佳的死區時(shí)間。由于在單片功率開(kāi)關(guān)中同時(shí)整合了高邊和低邊GaN功率開(kāi)關(guān)，從而消除了寄生開(kāi)關(guān)損耗，而在使用分立型高邊和低邊開(kāi)關(guān)的傳統功率級解決方案中，由于使用了銅互連這種損耗無(wú)可避免。

iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍為0.6V至5.5V，在此電壓范圍內的輸出電流最高可達30A，工作頻率最高可達3MHz。為了實(shí)現比基于硅的先進(jìn)功率MOSFET更高的效率和兩倍以上的開(kāi)關(guān)頻率，iP2010器件安裝在倒裝芯片封裝平臺內，因而無(wú)需使用邦定線(xiàn)?；贕aN的先進(jìn)技術(shù)加上創(chuàng )新的封裝，使得這款集成式器件可針對600kHz至1.2MHz的工作頻率范圍進(jìn)行優(yōu)化。

因為iP2010能夠工作在比傳統硅解決方案更高的頻率范圍內，因而在空間非常寶貴的場(chǎng)合它能提供最大的功率密度。通過(guò)將功率級電路工作在這些更高的開(kāi)關(guān)頻率，還能減小輸出電容和電感的值和體積，進(jìn)而減小整個(gè)電路板面積。