德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級封裝將 2 個(gè)非對稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實(shí)現高性能。

CSD86350Q5D 的主要特性：

• CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級封裝將 2 個(gè)非對稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實(shí)現高性能。
• NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生成高達 40 A 的電流，可顯著(zhù)降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線(xiàn)框架可顯著(zhù)縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現與 GaN 等其他半導體技術(shù)相當的性能。
• 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為同類(lèi)采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%；
• 可在 25 A 的工作電流下實(shí)現超過(guò) 90% 的電源效率，與同類(lèi)競爭器件相比，效率高 2%，功率損耗低 20 %；
• 與同類(lèi)解決方案相比，無(wú)需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
• 底部采用裸露接地焊盤(pán)的 SON 封裝可簡(jiǎn)化布局。