在過(guò)去的13年中，英飛凌功率半導體產(chǎn)品- CoolMOSTM，超級結（SJ）高壓MOSFETs, thinQ! TM 碳化硅肖特基二極管，OptiMOSTM，低壓MOSFETs，和現在的CoolMOSTM CFD2 SJ 650V MOSFETs-都是該哲學(xué)的典型事例。
CoolMOSTMCFD2 是基于具有革命意義的超結原理之上，是英飛凌第七代高壓功率MOSFETs。該系列是市場(chǎng)上首例將快速體二極管集成在650V 具有超結技術(shù)的MOSFET之上， 同時(shí)也聯(lián)合了極低的導通電阻，最佳導通電阻達41毫歐。 由此產(chǎn)生的CFD2器件在硬切換的情況下得以限制電壓過(guò)沖，同時(shí)也減小了導通損耗。同前一代的CFD的產(chǎn)品相比，CFD2大大降低了Qg,因而能夠節省MOSFETs的驅動(dòng)功率。這點(diǎn)在高頻零電壓開(kāi)關(guān)的拓撲上至關(guān)重要。通常來(lái)說(shuō)，MOSFET導通電阻是隨著(zhù)結溫的升高而增大的。但是，由于CFD2 采用的是最新的技術(shù)，使得導通電阻的變化范圍會(huì )更加狹小。
基于以上提到的特點(diǎn)，CFD2系列MOSFET 可以較好的用于移相零電壓開(kāi)關(guān)的拓撲，LLC 拓撲，和三電平拓撲。它對于通信整流器，服務(wù)器電源，UPS 和太陽(yáng)能電源產(chǎn)品應用至關(guān)重要。
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