ISSCC 2015的十大見(jiàn)聞

　　今年的國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)再次見(jiàn)證了一系列的芯片創(chuàng )新。盡管成本上升和追逐摩爾定律的復雜性，在這個(gè)芯片設計者的年度盛會(huì )上，工程師們設計出更小、更快、更豐富的器件，為一個(gè)新而陌生的超低功耗設計世界的呈現了一些別有風(fēng)味的“小菜”。

　　對于3D芯片堆疊的討論

　　ISSCC會(huì )議上回蕩著(zhù)一群設計者對于試圖從更多的日益復雜和昂貴的工藝節點(diǎn)中擠出更多的抱怨聲。“我們應該繼續擴展到7nm和5nm，但我們需要從這些節點(diǎn)獲得更多，”高通技術(shù)副總裁Geoffrey Yeap在對摩爾定律的討論會(huì )上表示。

　　Liam Madden在恢復他幫助Xilinx所建立的2.5 D芯片堆疊，最近將使用20 nm工藝集成190億個(gè)晶體管(包括10個(gè)ARM Cortex-A9核)。在新的工藝節點(diǎn)添加了兩個(gè)新的金屬層，“RC延遲正在抹殺你芯片中的路徑”他說(shuō)。

　　ITRS半導體的Paolo Gargini表示：今天的芯片堆疊技術(shù)就像2007年高電介質(zhì)金屬柵極設計一樣，是工藝的下一個(gè)大熱門(mén)。

　　來(lái)自Intel的Mark Bohr卻不同意這種觀(guān)點(diǎn)，他表示：“我們需要的垂直互聯(lián)要比今天的硅通孔密度大一個(gè)或兩個(gè)數量級。”

　　Liam Madde同意但表示對TSV密度有信心：“將要在未來(lái)兩年或三年增加一個(gè)數量級，但是想再超越，就是比較棘手了。”

　　即使有來(lái)自工藝的煩惱，工程師們還是表現出了許多硅創(chuàng )新。

　　微型傳感器，太陽(yáng)核心

　　來(lái)自博世的Chinwuba Ezkewe(見(jiàn)下圖)展示了一個(gè)2.5 mm×3 mm的3軸陀螺儀傳感器，其精度足以用于導航，但在1.71 V~3.6 V電壓下只消耗0.85 mA。

　　下圖是密歇根大學(xué)的研究人員展示了一個(gè)ARM Cortex-M0 +，其消耗0.09 mm2 太陽(yáng)能電池產(chǎn)生400 μW的功率，這受益于他設計的新型電路抑制了漏電。

　　模塊化智能手機

　　日本Keio大學(xué)的Atsutake Kosuge(下圖) 開(kāi)發(fā)了一個(gè)6 Gb/s非接觸式接口面向連接的模塊化手機，這種手機是谷歌開(kāi)發(fā)作為其Ara項目的一部分。他的寬帶方法允許基帶編碼達到MIPI數據速率，但還并未向谷歌工程師透露。

　　智能手機在4K中的吶喊

　　聯(lián)發(fā)科的林錫安(下圖)協(xié)助設計了公司所展示的能播放4K視頻的HEVC編碼器模塊?；?8 nm工藝，該模塊占用面積僅為2.16 mm2。

　　下面，夏普的工程師展示了帶有并行接口的240 Hz電容式觸摸屏，其在平板上的速度表現與智能電視一樣快。該芯片的當前版本是基于一個(gè)直接連接到主機處理器的模擬前端(AFE)，去除了在上一代中的一個(gè)數字芯片。