淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

隨著(zhù)家用電器、視聽(tīng)產(chǎn)品的普及，辦公自動(dòng)化的廣泛應用和網(wǎng)絡(luò )化的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的產(chǎn)品具有了待機功能，以隨時(shí)滿(mǎn)足使用者的要求。這些新產(chǎn)品、新技術(shù)在極大地方便我們生活的同時(shí)，也造成了大量的能源浪費。，“能源之星”等規范標準在致力于提升這些設備所用電源工作能效的同時(shí)，也注重提升輕載能效及降低待機能耗。

對于一個(gè)反激式開(kāi)關(guān)電源而言，我們可以通過(guò)以下幾個(gè)方面來(lái)提升輕載效率和待機功耗：

1.開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗通?？梢苑譃閷〒p耗、開(kāi)關(guān)損耗、驅動(dòng)損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會(huì )明顯降低，這時(shí)候的開(kāi)關(guān)損耗是主導因素。而開(kāi)關(guān)損耗與Vds電壓、開(kāi)關(guān)頻率有著(zhù)直接的關(guān)系。因此，減少MOSFET在輕載和空載時(shí)的損耗，可以通過(guò)使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來(lái)實(shí)現；

2.使用具有HV啟動(dòng)功能的芯片，這樣可以避免啟動(dòng)電阻產(chǎn)生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻；

3.對反饋線(xiàn)路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機功耗。當然，同時(shí)也要考慮到對Dynamic的影響；

4.對吸收線(xiàn)路的優(yōu)化。傳統的RCD嵌位線(xiàn)路會(huì )造成比較大的損耗，相對而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機功耗；
此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優(yōu)化變壓器的設計也會(huì )起到一定的積極作用。

總之，提升反激式開(kāi)關(guān)電源的輕載能效及降低待機功耗，需要對反激式拓撲線(xiàn)路做詳細的分析，抓住每一個(gè)損耗的源頭，一點(diǎn)一滴的累積并提高，才能最大限度的滿(mǎn)足日益嚴格的需求。