分析:高輝度4元系LED芯片技術(shù)與制作方法

AlGaInP LED系化合物半導體的折射率為3.5，密封LED芯片的環(huán)氧樹(shù)脂與硅樹(shù)脂的折射率為1.4~1.5，換句話(huà)說(shuō)樹(shù)脂與芯片界面，大約有2倍左右的折射率差，因此在界面會(huì )發(fā)生內部反射。將光線(xiàn)從芯片取至外部時(shí)，光線(xiàn)的入射角幾乎與界面呈垂直狀，為防止內部反射，光學(xué)設計必需作界面附近的光線(xiàn)的入射角控制。具體方法例如將芯片形狀加工成具備多面體形狀，或是將芯片表面制成凹凸狀，等防止內部反射的改善技術(shù)。然而這些改善技術(shù)對外形尺寸低于1mm的LED芯片，加工上技術(shù)困難度卻非常高。

AlGaInP LED芯片的高輝度化技術(shù)重點(diǎn)共有3項，分別如下：提高發(fā)光層的內部量子效率、提高從從芯片內部取至外部的效率、高效率提供發(fā)光層電流的技術(shù)。

圖6是AlGaInP紅光LED的高輝度化技術(shù)動(dòng)向，如圖所示LED基板從傳統光線(xiàn)吸收基板進(jìn)化到透明基板，加上業(yè)者已經(jīng)針對LED基板，進(jìn)行上述三大技術(shù)改善，其結果使得LED的輝度3年大約提高2倍，08年全球最高發(fā)光效率80lm/W的AlGaInP LED也因而正式商品化。上述高輝度AlGaInP LED的輝度是傳統使用吸收基板AlGaInP系LED的10倍，今后可望在液晶背光照明模塊車(chē)燈、照明、信號燈、植物培育等領(lǐng)域拓展市場(chǎng)規模。

　　結語(yǔ)
以上介紹4元系AlGaInP紅光LED芯片高輝度技術(shù)與制作方法。發(fā)光二極管具備低消費電力與長(cháng)壽命特征，長(cháng)久以來(lái)它的發(fā)展動(dòng)向一直備受全球高度期待，一般認為未來(lái)發(fā)光二極管可望成為次世代省能源照明光源。96年日亞化學(xué)的中村教授開(kāi)發(fā)藍光LED芯片，白光要求的R、G、B三種光源總算全步到齊，從此揭開(kāi)白光半導體發(fā)光組件新紀元。