BluGlass通過(guò)RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長(cháng)雜質(zhì)

　　知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學(xué)予以證明，BluGlass的技術(shù)可以將碳、氫和氧雜質(zhì)的水平控制在每立方厘米為1*1017個(gè)原子以下。

　　現在BluGlass計劃對p-GaN層進(jìn)行優(yōu)化，并將RPCVD的優(yōu)點(diǎn)介紹給顧客，包括該技術(shù)跟傳統的MOCVD 相比所獲得的LED設備效率的提高。

　　BluGlass的CEO Giles Bourne說(shuō)：“這一成果對于我們公司來(lái)說(shuō)是一個(gè)突破，也是給業(yè)界和未來(lái)顧客證明我們技術(shù)實(shí)力的關(guān)鍵一步。眾所周知，碳和氧抑制了RPCVD技術(shù)的障礙，所以這兩種雜質(zhì)的降低將是一個(gè)重要的發(fā)現。