搶搭磁感應/磁共振 無(wú)線(xiàn)充電標準陣營(yíng)跨界搶錢(qián)

　　只聞樓梯響　A4WP標準遲未出鞘

　　不同于已大幅領(lǐng)先的WPC及確定于明年邁開(kāi)步伐的PMA，A4WP即使有高通、三星、英特爾（Intel）三家半導體巨擘扶持，至今仍是只聞樓梯響，其正式標準遲遲未公布。雖然A4WP已于2013年6月下旬在韓國完成產(chǎn)品互通性的插拔測試（Plugfest），并宣稱(chēng)將于2013年秋季發(fā)布A4WP正式標準，不過(guò)至今仍無(wú)消息。

　　致伸科技技術(shù)平臺資深經(jīng)理丘宏偉表示，A4WP已完成插拔測試，即證明該聯(lián)盟的磁共振電力傳輸技術(shù)并無(wú)太大問(wèn)題，事實(shí)上，磁共振技術(shù)真正的困境在于實(shí)際應用時(shí)有三個(gè)難以克服的使用者情境（User Case），這些問(wèn)題將絆住該技術(shù)往商用化發(fā)展的步伐。

　　丘宏偉進(jìn)一步解釋。首先，磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)的訴求為「一對多」無(wú)線(xiàn)充電方式，但充電發(fā)射端無(wú)法辨識每個(gè)裝置的實(shí)際充電需求，這將衍伸出各裝置充電優(yōu)先順序的問(wèn)題；再者，雖然目前并無(wú)研究報告直接證明輻射對人體的危害，但消費者對此勢必存有疑慮，這也造成磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)在市場(chǎng)上推廣的困難；最后，若充電範圍內有金屬異物，將干擾電力傳輸的運作，甚至可能因金屬過(guò)熱而產(chǎn)生安全疑慮，但目前并無(wú)技術(shù)能克服此問(wèn)題。

　　不只如此，晶片成本過(guò)高亦為障礙之一。丘宏偉指出，為了驅動(dòng)磁共振無(wú)線(xiàn)充電的傳輸功率，晶片材料須採用砷化鎵及成本較高的電容製作。

　　值得注意的是，為解決為人詬病的電源控制問(wèn)題，A4WP已于2013年10月與藍牙技術(shù)聯(lián)盟（Bluetooth SIG）簽署合作備忘錄，擬利用藍牙優(yōu)化磁共振無(wú)線(xiàn)充電之電源控制技術(shù)。丘宏偉認為，未來(lái)磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)若整合藍牙晶片，勢必再加進(jìn)擔任「仲裁」角色的處理器以強化電源控制，而這將再墊高Tx及Rx晶片成本，增加將磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)推廣至市場(chǎng)的困難度。

　　優(yōu)力（UL）產(chǎn)品安全事業(yè)高科技產(chǎn)業(yè)工程部亞太區總監蔡英哲指出，既然低功率磁感應技術(shù)的Qi標準已在市場(chǎng)上大行其道，若是A4WP支持的磁共振技術(shù)想出頭天，勢必須與Qi切割，積極往高功率市場(chǎng)版圖進(jìn)攻，如電動(dòng)車(chē)就是一個(gè)大有可為的應用市場(chǎng)。

　　蔡英哲表示，其實(shí)A4WP亦深感于此，因此該陣營(yíng)已積極同步展開(kāi)低/中高功率充電技術(shù)的研發(fā)，并稱(chēng)磁共振技術(shù)為「第二代無(wú)線(xiàn)充電標準」，以和「第一代Qi標準」切割，提升市場(chǎng)鑑別度。

　　據了解，高通、英特爾將分別主導A4WP低瓦數穿戴式裝置及中高瓦數行動(dòng)裝置無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)標準擬定，未來(lái)A4WP之低/中高功率標準極有可能同時(shí)發(fā)布以大舉搶市。

　　事實(shí)上，高通于2013年9月發(fā)表的智能手表Toq，即系採用其符合A4WP 1.0標準的無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)--WiPower，藉此間接向市場(chǎng)展示A4WP之磁共振無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)。

　　雖然磁共振技術(shù)因發(fā)展較緩，目前未能揮軍商用市場(chǎng)，然磁感應技術(shù)的不便利性卻也是不爭的事實(shí)，不少市場(chǎng)人士將磁感應技術(shù)視為無(wú)線(xiàn)充電標準統一的過(guò)渡方案。因此，三大標準陣營(yíng)除固守堡壘外，亦積極布局磁感應或磁共振技術(shù)發(fā)展以截長(cháng)補短，以免錯失市場(chǎng)商機。