技術(shù)新突破，長(cháng)電科技成功量產(chǎn)雙面封裝SiP產(chǎn)品

進(jìn)入2020年，國內新基建浪潮來(lái)襲，眾多芯片廠(chǎng)商大力推動(dòng)5G芯片進(jìn)入市場(chǎng)。芯片飛速發(fā)展的背后，封裝技術(shù)也乘勢進(jìn)入快速發(fā)展階段。長(cháng)電科技敏銳感知市場(chǎng)需求和技術(shù)發(fā)展趨勢，成功研發(fā)出更高密度的雙面封裝SiP工藝。 

隨著(zhù)半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，為了滿(mǎn)足越來(lái)越多的應用需求，電子封裝體正朝著(zhù)小型化、微型化發(fā)展，因此系統級封裝技術(shù)（SiP）越來(lái)越受到重視。在5G通訊被快速推廣的今天，SiP技術(shù)可節省開(kāi)發(fā)時(shí)間和避免試錯成本，因而被廣泛地應用于移動(dòng)終端設備中，具有很高的商業(yè)和技術(shù)價(jià)值。

隨著(zhù)5G時(shí)代的來(lái)臨， Sub-6G和毫米波頻段上的移動(dòng)終端產(chǎn)品被廣泛應用。如何滿(mǎn)足5G毫米波的射頻需求，并將更多元器件 “塞”進(jìn)體積微小的射頻前端模組是未來(lái)技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)。 

作為全球領(lǐng)先的半導體微系統集成和封裝測試服務(wù)提供商，長(cháng)電科技選擇直面挑戰，攻克技術(shù)難題，成功于2020年4月通過(guò)全球行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的認證，實(shí)現雙面封裝SiP產(chǎn)品的量產(chǎn)。

在這項突破性技術(shù)工藝中，長(cháng)電科技設計的雙面封裝SiP產(chǎn)品成功應用了雙面高密度、高精度SMT工藝，將大量的主被動(dòng)元器件貼裝在基板兩面，器件間的間距更是小到只有幾十微米。 

其次，雙面封裝SiP產(chǎn)品應用C-mold工藝，實(shí)現了芯片底部空間的完整填充，并有效減少了封裝后的殘留應力， 保證了封裝的可靠性。Grinding工藝的采用，使封裝厚度有了較大范圍的選擇，同步實(shí)現精準控制產(chǎn)品的厚度公差。

此外，雙面封裝SiP產(chǎn)品應用Laser ablation工藝，去除多余塑封料，為后續錫球再成型工藝預留了空間，確保了更好的可焊性。 

面對5G芯片需求爆發(fā)，先進(jìn)晶圓制程價(jià)格高企，SiP封裝技術(shù)使封裝環(huán)節在半導體產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)值得到大幅提升?？梢灶A見(jiàn)，雙面封裝SiP的應用將迎來(lái)繁盛期，長(cháng)電科技實(shí)現技術(shù)突破，成功將雙面SiP產(chǎn)品導入量產(chǎn)，及時(shí)為國內外客戶(hù)提供更先進(jìn)、更優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)。